具有高抗静电能力的GaN基LED外延结构及生长方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010958504.X
申请日
2020-09-14
公开(公告)号
CN112234125A
公开(公告)日
2021-01-15
发明(设计)人
王小兰 袁旭 张建立 郑畅达 高江东 潘拴
申请人
申请人地址
330031 江西省南昌市红谷滩新区学府大道999号
IPC主分类号
H01L3302
IPC分类号
H01L3312 H01L3320 H01L3322 H01L3300
代理机构
江西省专利事务所 36100
代理人
张文
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
提高抗静电能力的LED生长方法 [P]. 
徐平 ;
余涛 .
中国专利 :CN106206882A ,2016-12-07
[2]
提高LED抗静电能力的外延生长方法及其外延结构 [P]. 
张宇 .
中国专利 :CN103413880B ,2013-11-27
[3]
一种提高GaN基LED抗静电能力的外延结构及其生长方法 [P]. 
杨奎 ;
吴礼清 ;
郭丽彬 ;
李刚 ;
牛勇 .
中国专利 :CN103258927A ,2013-08-21
[4]
一种提升GaN基LED芯片抗静电能力的外延生长方法 [P]. 
王晓波 .
中国专利 :CN103872197A ,2014-06-18
[5]
一种具有高抗静电能力的LED外延片 [P]. 
李风浪 ;
李舒歆 .
中国专利 :CN106409998A ,2017-02-15
[6]
一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构 [P]. 
潘超 ;
杨辉 ;
徐东 ;
倪瑞 .
中国专利 :CN114613889A ,2022-06-10
[7]
一种高抗静电能力的LED外延结构 [P]. 
钱凯 ;
杜小青 ;
曹强 ;
徐晶 ;
吴梅梅 .
中国专利 :CN106299067A ,2017-01-04
[8]
一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构 [P]. 
展望 ;
芦玲 ;
刘康 ;
张雷城 ;
吕腾飞 ;
潘超 ;
杨辉 ;
徐东 ;
倪瑞 .
中国专利 :CN115084325A ,2022-09-20
[9]
一种增强器件抗静电能力的LED 外延生长方法 [P]. 
徐平 .
中国专利 :CN106531852A ,2017-03-22
[10]
一种增强器件抗静电能力的LED外延生长方法 [P]. 
张宇 ;
苗振林 ;
卢国军 ;
徐平 .
中国专利 :CN105070653A ,2015-11-18