一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构

被引：0

申请号：

CN202210948659.4

申请日：

2022-08-09

公开(公告)号：

CN115084325A

公开(公告)日：

2022-09-20

发明(设计)人：

展望芦玲刘康张雷城吕腾飞潘超杨辉徐东倪瑞

申请人：

申请人地址：

223001 江苏省淮安市清河新区景秀路6号

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3306 H01L3312 H01L3314 H01L3332 H01L3300

代理机构：

淮安市科文知识产权事务所 32223

代理人：

谢观素

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-20	公开	公开

共 50 条

[1]

一种提升抗静电能力的GaN基LED外延结构 [P].

潘超 ;

杨辉 ;

徐东 ;

倪瑞 .

中国专利 :CN114613889A ,2022-06-10

[2]

一种提升GaN基LED芯片抗静电能力的外延生长方法 [P].

王晓波 .

中国专利 :CN103872197A ,2014-06-18

[3]

一种高抗静电能力的LED外延结构 [P].

钱凯 ;

杜小青 ;

曹强 ;

徐晶 ;

吴梅梅 .

中国专利 :CN106299067A ,2017-01-04

[4]

一种提高GaN基LED抗静电能力的外延结构及其生长方法 [P].

杨奎 ;

吴礼清 ;

郭丽彬 ;

李刚 ;

牛勇 .

中国专利 :CN103258927A ,2013-08-21

[5]

具有高抗静电能力的GaN基LED外延结构及生长方法 [P].

王小兰 ;

袁旭 ;

张建立 ;

郑畅达 ;

高江东 ;

潘拴 .

中国专利 :CN112234125A ,2021-01-15

[6]

一种具有高抗静电能力的LED外延片 [P].

李风浪 ;

李舒歆 .

中国专利 :CN106409998A ,2017-02-15

[7]

一种可提高抗静电能力的蓝光LED外延结构 [P].

李庆彬 ;

林政志 ;

曾颀尧 ;

李鹏飞 .

中国专利 :CN106299049A ,2017-01-04

[8]

提高LED抗静电能力的外延生长方法及其外延结构 [P].

张宇 .

中国专利 :CN103413880B ,2013-11-27

[9]

一种提高氮化镓基LED芯片抗静电能力的外延片生长方法 [P].

何清华 ;

田艳 .

中国专利 :CN101071836A ,2007-11-14

[10]

一种提升LED抗静电能力与亮度的制备方法 [P].

庄家铭 ;

吴厚润 ;

曾信义 ;

徐宸科 ;

林素慧 .

中国专利 :CN104064645A ,2014-09-24

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