一种功率芯片用外延片生产工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610762782.1

申请日：

2016-08-30

公开(公告)号：

CN106252209A

公开(公告)日：

2016-12-21

发明(设计)人：

王作义胡宝平陈小铎崔永明马洪文白磊

申请人：

申请人地址：

629000 四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L2102

代理机构：

成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220

代理人：

郭受刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-05-24	授权	授权
2016-12-21	公开	公开
2017-01-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101697760889 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2016107627821 申请日:20160830

共 50 条

[1]

8英寸功率芯片的硅外延片生产工艺 [P].

王作义 ;

康宏 ;

马洪文 ;

胡宝平 ;

陈小铎 ;

崔永明 ;

卞小玉 .

中国专利 :CN107699944B ,2018-02-16

[2]

高压功率器件用极厚外延片 [P].

王浩 ;

邹崇生 .

中国专利 :CN203377215U ,2014-01-01

[3]

一种VCSEL外延片生产工艺参数优化方法 [P].

龚平 ;

刘邦 ;

夏天文 ;

范星 ;

史康桥 ;

王元 .

中国专利 :CN121008551A ,2025-11-25

[4]

高压功率器件用极厚外延片及其制造方法 [P].

王浩 ;

邹崇生 .

中国专利 :CN103354242B ,2013-10-16

[5]

一种SiC晶片的外延生产工艺 [P].

严立巍 ;

刘文杰 ;

马晴 ;

朱亦峰 ;

林春慧 .

中国专利 :CN115506013B ,2024-05-03

[6]

一种SiC晶片的外延生产工艺 [P].

严立巍 ;

刘文杰 ;

马晴 ;

朱亦峰 ;

林春慧 .

中国专利 :CN115506013A ,2022-12-23

[7]

一种CCD器件用硅外延片制备工艺 [P].

王文林 .

中国专利 :CN103337506B ,2013-10-02

[8]

一种半导体芯片生产工艺 [P].

赵喜高 ;

李涵 ;

潘万胜 .

中国专利 :CN108766927B ,2018-11-06

[9]

一种芯片固定片自动生产工艺 [P].

丁伟文 .

中国专利 :CN112871500A ,2021-06-01

[10]

一种芯片固定片自动生产工艺 [P].

李莉民 .

中国专利 :CN112820631A ,2021-05-18

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