8英寸功率芯片的硅外延片生产工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201711097978.4

申请日：

2017-11-09

公开(公告)号：

CN107699944B

公开(公告)日：

2018-02-16

发明(设计)人：

王作义康宏马洪文胡宝平陈小铎崔永明卞小玉

申请人：

申请人地址：

629000 四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号

IPC主分类号：

C30B2520

IPC分类号：

C30B2508 C30B2514 C30B2510 C30B2906

代理机构：

成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220

代理人：

郭受刚

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-12-18	授权	授权
2018-02-16	公开	公开
2018-03-16	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/20 申请日:20171109

共 50 条

[1]

硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺 [P].

康宏 ;

王作义 ;

雒林生 ;

石广宁 ;

韩立琼 .

中国专利 :CN111554565A ,2020-08-18

[2]

一种功率芯片用外延片生产工艺 [P].

王作义 ;

胡宝平 ;

陈小铎 ;

崔永明 ;

马洪文 ;

白磊 .

中国专利 :CN106252209A ,2016-12-21

[3]

绝缘栅双极型晶体管的硅外延片生产工艺 [P].

王作义 ;

康宏 ;

马洪文 ;

胡宝平 ;

陈小铎 ;

崔永明 ;

卞小玉 .

中国专利 :CN107845570A ,2018-03-27

[4]

一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN104103499B ,2014-10-15

[5]

一种8英寸VDMOS功率管用硅外延片的制造方法 [P].

马梦杰 .

中国专利 :CN110660649A ,2020-01-07

[6]

一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

龚一夫 ;

王亚倞 ;

赵扬 ;

翟玥 ;

图布新 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

薛兵 ;

李杨 ;

彭永纯 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN117626425B ,2024-04-26

[7]

一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

龚一夫 ;

王亚倞 ;

赵扬 ;

翟玥 ;

图布新 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

薛兵 ;

李杨 ;

彭永纯 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN117626425A ,2024-03-01

[8]

一种减压生产12寸单晶硅外延片的工艺 [P].

赵而敬 ;

冯泉林 ;

闫志瑞 ;

李宗峰 ;

盛方毓 .

中国专利 :CN103820849A ,2014-05-28

[9]

一种可消除表面微颗粒团聚的12英寸单晶硅外延片减压生产工艺 [P].

胡晓亮 ;

韩云霄 ;

张艺杰 ;

贾豪强 .

中国专利 :CN120138794A ,2025-06-13

[10]

8英寸薄层外延片、均匀性控制方法及应用 [P].

张志勤 ;

陈秉克 ;

赵丽霞 ;

袁肇耿 ;

薛宏伟 ;

任丽翠 ;

米姣 .

中国专利 :CN106876248B ,2017-06-20

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