硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010381767.9

申请日：

2020-05-08

公开(公告)号：

CN111554565A

公开(公告)日：

2020-08-18

发明(设计)人：

康宏王作义雒林生石广宁韩立琼

申请人：

申请人地址：

629000 四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C23C1602 C23C1624 C23C16455

代理机构：

成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220

代理人：

唐邦英

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20200508
2020-08-18	公开	公开

共 50 条

[1]

硅8英寸大功率元器件制备用外延炉 [P].

王作义 ;

康宏 ;

卞小玉 ;

韩立琼 .

中国专利 :CN212077201U ,2020-12-04

[2]

一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法 [P].

魏建宇 ;

骆红 ;

葛华 .

中国专利 :CN108417483B ,2018-08-17

[3]

8英寸功率芯片的硅外延片生产工艺 [P].

王作义 ;

康宏 ;

马洪文 ;

胡宝平 ;

陈小铎 ;

崔永明 ;

卞小玉 .

中国专利 :CN107699944B ,2018-02-16

[4]

一种8英寸高压FRD元器件用外延片的制备方法 [P].

冯亮 ;

魏建宇 ;

马梦杰 ;

邓雪华 .

中国专利 :CN117334562A ,2024-01-02

[5]

一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

龚一夫 ;

王亚倞 ;

赵扬 ;

翟玥 ;

图布新 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

薛兵 ;

李杨 ;

彭永纯 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN117626425B ,2024-04-26

[6]

一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

龚一夫 ;

王亚倞 ;

赵扬 ;

翟玥 ;

图布新 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

薛兵 ;

李杨 ;

彭永纯 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN117626425A ,2024-03-01

[7]

一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN104103499B ,2014-10-15

[8]

一种大功率PIN器件硅外延片的制造方法 [P].

金龙 ;

李国鹏 ;

谭卫东 .

中国专利 :CN104409345B ,2015-03-11

[9]

大功率元器件散热结构 [P].

安东尼 .

中国专利 :CN203722982U ,2014-07-16

[10]

大功率元器件的外壳 [P].

H·韦特 ;

L·伯格 ;

W·许布谢尔 .

中国专利 :CN1930646A ,2007-03-14

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