一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410108386.1

申请日：

2024-01-26

公开(公告)号：

CN117626425B

公开(公告)日：

2024-04-26

发明(设计)人：

刘奇龚一夫王亚倞赵扬翟玥图布新李明达傅颖洁薛兵李杨彭永纯唐发俊

申请人：

中国电子科技集团公司第四十六研究所

申请人地址：

300320 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

C30B25/16

IPC分类号：

C30B25/20 C30B29/06 H01L29/04 H01L29/16 H01L29/739

代理机构：

天津合正知识产权代理有限公司 12229

代理人：

王雨杰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-01	公开	公开
2024-03-19	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/16申请日:20240126
2024-04-26	授权	授权

共 50 条

[1]

一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

龚一夫 ;

王亚倞 ;

赵扬 ;

翟玥 ;

图布新 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

薛兵 ;

李杨 ;

彭永纯 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN117626425A ,2024-03-01

[2]

一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN104103499B ,2014-10-15

[3]

一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法 [P].

魏建宇 ;

骆红 ;

葛华 .

中国专利 :CN108417483B ,2018-08-17

[4]

硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺 [P].

康宏 ;

王作义 ;

雒林生 ;

石广宁 ;

韩立琼 .

中国专利 :CN111554565A ,2020-08-18

[5]

一种8英寸VDMOS功率管用硅外延片的制造方法 [P].

马梦杰 .

中国专利 :CN110660649A ,2020-01-07

[6]

8英寸功率芯片的硅外延片生产工艺 [P].

王作义 ;

康宏 ;

马洪文 ;

胡宝平 ;

陈小铎 ;

崔永明 ;

卞小玉 .

中国专利 :CN107699944B ,2018-02-16

[7]

一种8英寸高压FRD元器件用外延片的制备方法 [P].

冯亮 ;

魏建宇 ;

马梦杰 ;

邓雪华 .

中国专利 :CN117334562A ,2024-01-02

[8]

一种IGBT硅外延片的制造方法 [P].

谭卫东 ;

马利行 ;

金龙 .

中国专利 :CN101256958B ,2008-09-03

[9]

硅外延片的制备方法及硅外延片 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525415B ,2024-01-30

[10]

一种高频器件用硅外延片的制备方法 [P].

唐发俊 ;

李明达 ;

王楠 ;

赵扬 .

中国专利 :CN111463117B ,2020-07-28

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