一种IGBT硅外延片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200810023330.7

申请日：

2008-04-08

公开(公告)号：

CN101256958B

公开(公告)日：

2008-09-03

发明(设计)人：

谭卫东马利行金龙

申请人：

申请人地址：

210038 江苏省南京市经济技术开发区兴文路8号

IPC主分类号：

H01L21331

IPC分类号：

代理机构：

南京知识律师事务所 32207

代理人：

张苏沛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-06-02	授权	授权
2008-09-03	公开	公开
2008-10-29	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

一种大功率PIN器件硅外延片的制造方法 [P].

金龙 ;

李国鹏 ;

谭卫东 .

中国专利 :CN104409345B ,2015-03-11

[2]

一种硅外延片的制造方法 [P].

刘勇 ;

金龙 ;

谭卫东 .

中国专利 :CN106757324A ,2017-05-31

[3]

一种COOLMOS用硅外延片的制造方法 [P].

刘勇 ;

邓雪华 ;

孙健 ;

杨帆 ;

任凯 ;

石卓亚 ;

骆红 .

中国专利 :CN108447772A ,2018-08-24

[4]

硅外延片的制造方法及硅外延片 [P].

金谷晃一 ;

西泽毅 .

中国专利 :CN1864245A ,2006-11-15

[5]

一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

龚一夫 ;

王亚倞 ;

赵扬 ;

翟玥 ;

图布新 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

薛兵 ;

李杨 ;

彭永纯 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN117626425A ,2024-03-01

[6]

一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

龚一夫 ;

王亚倞 ;

赵扬 ;

翟玥 ;

图布新 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

薛兵 ;

李杨 ;

彭永纯 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN117626425B ,2024-04-26

[7]

硅外延片的制备方法及硅外延片 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525415B ,2024-01-30

[8]

表面处理方法、硅外延片的制造方法以及硅外延片 [P].

保科祐章 ;

田中纪通 .

中国专利 :CN1574247A ,2005-02-02

[9]

一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN104103499B ,2014-10-15

[10]

一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法 [P].

魏建宇 ;

骆红 ;

葛华 .

中国专利 :CN108417483B ,2018-08-17

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