一种大功率PIN器件硅外延片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410643082.1

申请日：

2014-11-13

公开(公告)号：

CN104409345B

公开(公告)日：

2015-03-11

发明(设计)人：

金龙李国鹏谭卫东

申请人：

申请人地址：

211111 江苏省南京市江宁区正方中路166号

IPC主分类号：

H01L21329

IPC分类号：

代理机构：

南京知识律师事务所 32207

代理人：

张苏沛

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-03-11	公开	公开
2015-04-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101604805986 IPC(主分类):H01L 21/329 专利申请号:2014106430821 申请日:20141113
2018-02-02	授权	授权

共 50 条

[1]

一种IGBT硅外延片的制造方法 [P].

谭卫东 ;

马利行 ;

金龙 .

中国专利 :CN101256958B ,2008-09-03

[2]

一种硅外延片的制造方法 [P].

刘勇 ;

金龙 ;

谭卫东 .

中国专利 :CN106757324A ,2017-05-31

[3]

硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺 [P].

康宏 ;

王作义 ;

雒林生 ;

石广宁 ;

韩立琼 .

中国专利 :CN111554565A ,2020-08-18

[4]

一种高压功率器件用硅外延片的制备方法 [P].

周幸 ;

李明达 ;

王楠 ;

赵扬 ;

李普生 .

中国专利 :CN110379704B ,2019-10-25

[5]

5″功率MOS管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN1845303A ,2006-10-11

[6]

一种COOLMOS用硅外延片的制造方法 [P].

刘勇 ;

邓雪华 ;

孙健 ;

杨帆 ;

任凯 ;

石卓亚 ;

骆红 .

中国专利 :CN108447772A ,2018-08-24

[7]

一种PIN开关器件用硅外延片的制备方法 [P].

李明达 ;

居斌 ;

王楠 ;

薛兵 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN113737151A ,2021-12-03

[8]

一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法 [P].

魏建宇 ;

骆红 ;

葛华 .

中国专利 :CN108417483B ,2018-08-17

[9]

硅外延片的制造方法及硅外延片 [P].

金谷晃一 ;

西泽毅 .

中国专利 :CN1864245A ,2006-11-15

[10]

一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN104103499B ,2014-10-15

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