一种高压功率器件用硅外延片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201910652524.1

申请日：

2019-07-19

公开(公告)号：

CN110379704B

公开(公告)日：

2019-10-25

发明(设计)人：

周幸李明达王楠赵扬李普生

申请人：

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

C23C1624

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

王凤英

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-05-28	授权	授权
2019-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20190719
2019-10-25	公开	公开

共 50 条

[1]

一种高频器件用硅外延片的制备方法 [P].

唐发俊 ;

李明达 ;

王楠 ;

赵扬 .

中国专利 :CN111463117B ,2020-07-28

[2]

一种PIN开关器件用硅外延片的制备方法 [P].

李明达 ;

居斌 ;

王楠 ;

薛兵 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN113737151A ,2021-12-03

[3]

一种CCD器件用硅外延片制备工艺 [P].

王文林 .

中国专利 :CN103337506B ,2013-10-02

[4]

高压功率器件用极厚外延片 [P].

王浩 ;

邹崇生 .

中国专利 :CN203377215U ,2014-01-01

[5]

一种肖特基器件用硅外延片的制备方法 [P].

唐发俊 ;

李明达 ;

王楠 ;

赵扬 .

中国专利 :CN111463115B ,2020-07-28

[6]

一种功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片及其制备方法 [P].

李明达 ;

龚一夫 ;

秦涛 ;

吴重阳 ;

李世才 ;

赵聪 ;

董彬 ;

刘云 ;

刘奇 ;

傅颖洁 ;

庞伟龙 ;

王亚倞 .

中国专利 :CN119194599B ,2025-03-14

[7]

一种功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片及其制备方法 [P].

李明达 ;

龚一夫 ;

秦涛 ;

吴重阳 ;

李世才 ;

赵聪 ;

董彬 ;

刘云 ;

刘奇 ;

傅颖洁 ;

庞伟龙 ;

王亚倞 .

中国专利 :CN119194599A ,2024-12-27

[8]

一种功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片及其制备方法 [P].

李明达 ;

龚一夫 ;

秦涛 ;

傅颖洁 ;

刘云 ;

彭永纯 ;

耿月娇 ;

赵扬 ;

李杨 ;

边娜 ;

庞伟龙 ;

翟玥 .

中国专利 :CN119194606B ,2025-05-09

[9]

一种功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片及其制备方法 [P].

李明达 ;

龚一夫 ;

秦涛 ;

傅颖洁 ;

刘云 ;

彭永纯 ;

耿月娇 ;

赵扬 ;

李杨 ;

边娜 ;

庞伟龙 ;

翟玥 .

中国专利 :CN119194606A ,2024-12-27

[10]

硅外延片的制备方法及硅外延片 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525415B ,2024-01-30

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