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一种功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411735231.7
申请日：
2024-11-29
公开(公告)号：
CN119194599B
公开(公告)日：
2025-03-14
发明(设计)人：
李明达 龚一夫 秦涛 吴重阳 李世才 赵聪 董彬 刘云 刘奇 傅颖洁 庞伟龙 王亚倞
申请人：
中电晶华（天津）半导体材料有限公司
申请人地址：
300050 天津市津南区八里台镇丰泽四大道7号
IPC主分类号：
C30B25/12
IPC分类号：
C30B29/06 C30B28/14 H01L21/02
代理机构：
北京力量专利代理事务所(特殊普通合伙) 11504
代理人：
吴英
法律状态：
公开
国省代码：
天津市 市辖区
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-12-27 公开 公开
2025-01-14 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 25/12申请日:20241129
2025-03-14 授权 授权
共 50 条
[1]
一种功率器件用无裂纹和崩边的硅外延片及其制备方法 [P]. 
李明达 ;
龚一夫 ;
秦涛 ;
吴重阳 ;
李世才 ;
赵聪 ;
董彬 ;
刘云 ;
刘奇 ;
傅颖洁 ;
庞伟龙 ;
王亚倞 .
中国专利 :CN119194599A ,2024-12-27
[2]
一种功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片及其制备方法 [P]. 
李明达 ;
龚一夫 ;
秦涛 ;
傅颖洁 ;
刘云 ;
彭永纯 ;
耿月娇 ;
赵扬 ;
李杨 ;
边娜 ;
庞伟龙 ;
翟玥 .
中国专利 :CN119194606B ,2025-05-09
[3]
一种功率器件用超重掺磷衬底多层硅外延片及其制备方法 [P]. 
李明达 ;
龚一夫 ;
秦涛 ;
傅颖洁 ;
刘云 ;
彭永纯 ;
耿月娇 ;
赵扬 ;
李杨 ;
边娜 ;
庞伟龙 ;
翟玥 .
中国专利 :CN119194606A ,2024-12-27
[4]
一种高频器件用硅外延片的制备方法 [P]. 
唐发俊 ;
李明达 ;
王楠 ;
赵扬 .
中国专利 :CN111463117B ,2020-07-28
[5]
一种肖特基器件用硅外延片的制备方法 [P]. 
唐发俊 ;
李明达 ;
王楠 ;
赵扬 .
中国专利 :CN111463115B ,2020-07-28
[6]
一种高压功率器件用硅外延片的制备方法 [P]. 
周幸 ;
李明达 ;
王楠 ;
赵扬 ;
李普生 .
中国专利 :CN110379704B ,2019-10-25
[7]
一种TMBS用硅外延片的制备方法 [P]. 
刘奇 ;
李明达 ;
傅颖洁 ;
龚一夫 ;
庞伟龙 ;
赵聪 ;
秦涛 ;
刘云 ;
王亚倞 .
中国专利 :CN119243329A ,2025-01-03
[8]
一种TMBS用硅外延片的制备方法 [P]. 
刘奇 ;
李明达 ;
傅颖洁 ;
龚一夫 ;
庞伟龙 ;
赵聪 ;
秦涛 ;
刘云 ;
王亚倞 .
中国专利 :CN119243329B ,2025-03-14
[9]
一种PIN开关器件用硅外延片的制备方法 [P]. 
李明达 ;
居斌 ;
王楠 ;
薛兵 ;
唐发俊 .
中国专利 :CN113737151A ,2021-12-03
[10]
一种可减少边缘微裂纹缺陷的硅外延片及其制备方法 [P]. 
李明达 ;
龚一夫 ;
秦涛 ;
郭宝琛 ;
刘云 ;
刘奇 ;
图布新 ;
白春磊 ;
朱建国 ;
傅颖洁 ;
王亚倞 ;
彭永纯 .
中国专利 :CN119221116A ,2024-12-31
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