5″功率MOS管用硅外延片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200610039599.5

申请日：

2006-04-17

公开(公告)号：

CN1845303A

公开(公告)日：

2006-10-11

发明(设计)人：

马林宝

申请人：

申请人地址：

210038江苏省南京市经济技术开发区兴文路8号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

南京知识律师事务所

代理人：

张苏沛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-05-28	授权	授权
2006-12-06	实质审查的生效	实质审查的生效
2006-10-11	公开	公开

共 50 条

[1]

6″VDMOS管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN101047122A ,2007-10-03

[2]

一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN104103499B ,2014-10-15

[3]

一种硅外延片的制造方法 [P].

刘勇 ;

金龙 ;

谭卫东 .

中国专利 :CN106757324A ,2017-05-31

[4]

硅外延片的制造方法及硅外延片 [P].

金谷晃一 ;

西泽毅 .

中国专利 :CN1864245A ,2006-11-15

[5]

一种8英寸VDMOS功率管用硅外延片的制造方法 [P].

马梦杰 .

中国专利 :CN110660649A ,2020-01-07

[6]

一种COOLMOS用硅外延片的制造方法 [P].

刘勇 ;

邓雪华 ;

孙健 ;

杨帆 ;

任凯 ;

石卓亚 ;

骆红 .

中国专利 :CN108447772A ,2018-08-24

[7]

低压TVS用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 ;

金龙 ;

骆红 .

中国专利 :CN102290337B ,2011-12-21

[8]

毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 ;

马利行 ;

金龙 .

中国专利 :CN102332497A ,2012-01-25

[9]

一种大功率PIN器件硅外延片的制造方法 [P].

金龙 ;

李国鹏 ;

谭卫东 .

中国专利 :CN104409345B ,2015-03-11

[10]

硅外延片的制备方法及硅外延片 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525415B ,2024-01-30

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