低压TVS用硅外延片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110286701.2

申请日：

2011-09-26

公开(公告)号：

CN102290337B

公开(公告)日：

2011-12-21

发明(设计)人：

马林宝金龙骆红

申请人：

申请人地址：

210038 江苏省南京市经济技术开发区兴文路8号

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

H01L21329

代理机构：

南京知识律师事务所 32207

代理人：

张苏沛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-08	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101180929288 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2011102867012 申请日:20110926
2011-12-21	公开	公开
2013-04-03	授权	授权

共 50 条

[1]

6″VDMOS管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN101047122A ,2007-10-03

[2]

硅外延片的制造方法及硅外延片 [P].

金谷晃一 ;

西泽毅 .

中国专利 :CN1864245A ,2006-11-15

[3]

一种COOLMOS用硅外延片的制造方法 [P].

刘勇 ;

邓雪华 ;

孙健 ;

杨帆 ;

任凯 ;

石卓亚 ;

骆红 .

中国专利 :CN108447772A ,2018-08-24

[4]

一种硅外延片的制造方法 [P].

刘勇 ;

金龙 ;

谭卫东 .

中国专利 :CN106757324A ,2017-05-31

[5]

硅外延片的制备方法及硅外延片 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525415B ,2024-01-30

[6]

毫米波雪崩二极管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 ;

马利行 ;

金龙 .

中国专利 :CN102332497A ,2012-01-25

[7]

外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片 [P].

土屋庆太郎 ;

萩本和德 ;

篠宫胜 .

中国专利 :CN112753092A ,2021-05-04

[8]

外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片 [P].

土屋庆太郎 ;

萩本和德 ;

篠宫胜 .

日本专利 :CN112753092B ,2024-12-20

[9]

5″功率MOS管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN1845303A ,2006-10-11

[10]

表面处理方法、硅外延片的制造方法以及硅外延片 [P].

保科祐章 ;

田中纪通 .

中国专利 :CN1574247A ,2005-02-02

← 1 2 3 4 5 →