外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980062141.7

申请日：

2019-09-06

公开(公告)号：

CN112753092B

公开(公告)日：

2024-12-20

发明(设计)人：

土屋庆太郎萩本和德篠宫胜

申请人：

信越半导体株式会社

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21/20

IPC分类号：

C30B25/18 C30B29/38 H01L21/205

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

张晶;谢顺星

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-12-20	授权	授权

共 50 条

[1]

外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片 [P].

土屋庆太郎 ;

萩本和德 ;

篠宫胜 .

中国专利 :CN112753092A ,2021-05-04

[2]

硅外延片的制造方法及硅外延片 [P].

金谷晃一 ;

西泽毅 .

中国专利 :CN1864245A ,2006-11-15

[3]

外延生长用硅晶圆及外延片 [P].

菅原孝世 ;

丹波佑太 ;

小内骏英 .

日本专利 :CN120077168A ,2025-05-30

[4]

外延片的制造方法及外延片 [P].

铃木克佳 ;

铃木温 .

中国专利 :CN114930500A ,2022-08-19

[5]

硅外延片的制备方法及硅外延片 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525415B ,2024-01-30

[6]

外延晶圆的制造方法及外延生长用硅系基板 [P].

萩本和德 ;

篠宫胜 ;

土屋庆太郎 ;

后藤博一 ;

佐藤宪 ;

鹿内洋志 ;

小林昇一 ;

栗本宏高 .

中国专利 :CN106068547A ,2016-11-02

[7]

外延生长方法及外延片 [P].

王娜 ;

俎世琦 ;

金柱炫 .

中国专利 :CN119913611A ,2025-05-02

[8]

外延生长方法及外延片 [P].

何斌斌 ;

俎世琦 .

中国专利 :CN119351997A ,2025-01-24

[9]

InGaAsP外延片的生长方法及外延片 [P].

王旭光 ;

邱晓升 ;

蔡蔚宏 ;

倪健 .

中国专利 :CN121126937A ,2025-12-12

[10]

用于制造硅外延片的单片式外延炉的外延生长单元及应用 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN206494986U ,2017-09-15

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