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外延生长用硅晶圆及外延片

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202380076153.1
申请日：
2023-09-21
公开(公告)号：
CN120077168A
公开(公告)日：
2025-05-30
发明(设计)人：
菅原孝世 丹波佑太 小内骏英
申请人：
信越半导体株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
C30B29/06
IPC分类号：
C30B15/00
代理机构：
北京路浩知识产权代理有限公司 11002
代理人：
李琴;谢顺星
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-17 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/06申请日:20230921
2025-05-30 公开 公开
共 50 条
[1]
预热环、晶圆外延生长设备、外延生长方法及外延硅晶圆 [P]. 
梁鹏欢 .
中国专利 :CN120210953A ,2025-06-27
[2]
外延反应器重启方法及外延生长系统、外延硅晶圆 [P]. 
孙毅 ;
请求不公布姓名 ;
贾帅 .
中国专利 :CN118441349A ,2024-08-06
[3]
外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片 [P]. 
土屋庆太郎 ;
萩本和德 ;
篠宫胜 .
中国专利 :CN112753092A ,2021-05-04
[4]
外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片 [P]. 
土屋庆太郎 ;
萩本和德 ;
篠宫胜 .
日本专利 :CN112753092B ,2024-12-20
[5]
外延生长方法及外延晶圆 [P]. 
梁鹏欢 .
中国专利 :CN119320986A ,2025-01-17
[6]
基座、外延生长设备及外延晶圆 [P]. 
何斌斌 ;
俎世琦 .
中国专利 :CN120400986A ,2025-08-01
[7]
外延生长方法及外延晶圆 [P]. 
杨金柱 ;
王力 .
中国专利 :CN115948797B ,2025-05-09
[8]
基座、外延生长装置、及外延晶圆 [P]. 
野上彰二 ;
和田直之 .
中国专利 :CN107851560B ,2018-03-27
[9]
外延晶圆的制造方法及外延生长用硅系基板 [P]. 
萩本和德 ;
篠宫胜 ;
土屋庆太郎 ;
后藤博一 ;
佐藤宪 ;
鹿内洋志 ;
小林昇一 ;
栗本宏高 .
中国专利 :CN106068547A ,2016-11-02
[10]
外延生长基座组件、外延生长装置及晶圆装卸方法 [P]. 
韩喜盈 ;
王力 .
中国专利 :CN117684261A ,2024-03-12
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