一种COOLMOS用硅外延片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810244647.7

申请日：

2018-03-23

公开(公告)号：

CN108447772A

公开(公告)日：

2018-08-24

发明(设计)人：

刘勇邓雪华孙健杨帆任凯石卓亚骆红

申请人：

申请人地址：

210000 江苏省南京市江宁经济技术开发区正方中路166号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

张弛

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-08-04	授权	授权
2018-08-24	公开	公开
2018-09-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180323

共 50 条

[1]

一种硅外延片的制造方法 [P].

刘勇 ;

金龙 ;

谭卫东 .

中国专利 :CN106757324A ,2017-05-31

[2]

一种COOLMOS用硅外延片的制备方法 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525419B ,2024-02-13

[3]

低压TVS用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 ;

金龙 ;

骆红 .

中国专利 :CN102290337B ,2011-12-21

[4]

一种IGBT硅外延片的制造方法 [P].

谭卫东 ;

马利行 ;

金龙 .

中国专利 :CN101256958B ,2008-09-03

[5]

6″VDMOS管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN101047122A ,2007-10-03

[6]

5″功率MOS管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN1845303A ,2006-10-11

[7]

硅外延片的制造方法及硅外延片 [P].

金谷晃一 ;

西泽毅 .

中国专利 :CN1864245A ,2006-11-15

[8]

一种大功率PIN器件硅外延片的制造方法 [P].

金龙 ;

李国鹏 ;

谭卫东 .

中国专利 :CN104409345B ,2015-03-11

[9]

硅外延片的制备方法及硅外延片 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525415B ,2024-01-30

[10]

外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片 [P].

土屋庆太郎 ;

萩本和德 ;

篠宫胜 .

中国专利 :CN112753092A ,2021-05-04

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