一种COOLMOS用硅外延片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202310685812.3

申请日：

2023-06-09

公开(公告)号：

CN116525419B

公开(公告)日：

2024-02-13

发明(设计)人：

郭艳敏王楠赵堃莫宇

申请人：

中电科先进材料技术创新有限公司

申请人地址：

100043 北京市石景山区金府路29号院5号楼3层304室

IPC主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

H01L21/3065

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

付晓娣

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-13	授权	授权

共 50 条

[1]

一种COOLMOS用硅外延片的制造方法 [P].

刘勇 ;

邓雪华 ;

孙健 ;

杨帆 ;

任凯 ;

石卓亚 ;

骆红 .

中国专利 :CN108447772A ,2018-08-24

[2]

硅外延片的制备方法及硅外延片 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525415B ,2024-01-30

[3]

一种高频器件用硅外延片的制备方法 [P].

唐发俊 ;

李明达 ;

王楠 ;

赵扬 .

中国专利 :CN111463117B ,2020-07-28

[4]

一种肖特基器件用硅外延片的制备方法 [P].

唐发俊 ;

李明达 ;

王楠 ;

赵扬 .

中国专利 :CN111463115B ,2020-07-28

[5]

硅外延片的制造方法及硅外延片 [P].

金谷晃一 ;

西泽毅 .

中国专利 :CN1864245A ,2006-11-15

[6]

一种硅反外延片的制备方法 [P].

李杨 ;

傅颖洁 ;

李明达 ;

薛兵 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN112663137B ,2021-04-16

[7]

一种高压功率器件用硅外延片的制备方法 [P].

周幸 ;

李明达 ;

王楠 ;

赵扬 ;

李普生 .

中国专利 :CN110379704B ,2019-10-25

[8]

一种MOS用硅外延片防裂片的制备方法 [P].

刘奇 ;

李明达 ;

吴重阳 ;

付新生 ;

叶浩然 ;

图布新 ;

郭宝琛 .

中国专利 :CN118866664A ,2024-10-29

[9]

一种PIN开关器件用硅外延片的制备方法 [P].

李明达 ;

居斌 ;

王楠 ;

薛兵 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN113737151A ,2021-12-03

[10]

一种TMBS用硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

龚一夫 ;

庞伟龙 ;

赵聪 ;

秦涛 ;

刘云 ;

王亚倞 .

中国专利 :CN119243329A ,2025-01-03

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