一种MOS用硅外延片防裂片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411336318.7

申请日：

2024-09-25

公开(公告)号：

CN118866664A

公开(公告)日：

2024-10-29

发明(设计)人：

刘奇李明达吴重阳付新生叶浩然图布新郭宝琛

申请人：

中电晶华（天津）半导体材料有限公司

申请人地址：

300356 天津市津南区八里台镇丰泽四大道7号

IPC主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

H01L21/02 H01L21/67 H01J37/32 C30B25/18 C30B25/16 C30B29/06

代理机构：

天津合正知识产权代理有限公司 12229

代理人：

王雨杰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

天津市市辖区

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-15	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/205申请日:20240925
2024-10-29	公开	公开

共 50 条

[1]

硅外延片的制备方法及硅外延片 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525415B ,2024-01-30

[2]

一种高频器件用硅外延片的制备方法 [P].

唐发俊 ;

李明达 ;

王楠 ;

赵扬 .

中国专利 :CN111463117B ,2020-07-28

[3]

一种肖特基器件用硅外延片的制备方法 [P].

唐发俊 ;

李明达 ;

王楠 ;

赵扬 .

中国专利 :CN111463115B ,2020-07-28

[4]

一种COOLMOS用硅外延片的制备方法 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525419B ,2024-02-13

[5]

一种TMBS用硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

龚一夫 ;

庞伟龙 ;

赵聪 ;

秦涛 ;

刘云 ;

王亚倞 .

中国专利 :CN119243329A ,2025-01-03

[6]

一种TMBS用硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

龚一夫 ;

庞伟龙 ;

赵聪 ;

秦涛 ;

刘云 ;

王亚倞 .

中国专利 :CN119243329B ,2025-03-14

[7]

硅外延片的制造方法及硅外延片 [P].

金谷晃一 ;

西泽毅 .

中国专利 :CN1864245A ,2006-11-15

[8]

一种硅反外延片的制备方法 [P].

李杨 ;

傅颖洁 ;

李明达 ;

薛兵 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN112663137B ,2021-04-16

[9]

一种高压功率器件用硅外延片的制备方法 [P].

周幸 ;

李明达 ;

王楠 ;

赵扬 ;

李普生 .

中国专利 :CN110379704B ,2019-10-25

[10]

一种PIN开关器件用硅外延片的制备方法 [P].

李明达 ;

居斌 ;

王楠 ;

薛兵 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN113737151A ,2021-12-03

← 1 2 3 4 5 →