一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810269676.9

申请日：

2018-03-29

公开(公告)号：

CN108417483B

公开(公告)日：

2018-08-17

发明(设计)人：

魏建宇骆红葛华

申请人：

申请人地址：

211100 江苏省南京市江宁区正方中路166号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2916 H01L29739

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

张婧

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-09-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180329
2018-08-17	公开	公开
2020-06-16	授权	授权

共 50 条

[1]

硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺 [P].

康宏 ;

王作义 ;

雒林生 ;

石广宁 ;

韩立琼 .

中国专利 :CN111554565A ,2020-08-18

[2]

硅8英寸大功率元器件制备用外延炉 [P].

王作义 ;

康宏 ;

卞小玉 ;

韩立琼 .

中国专利 :CN212077201U ,2020-12-04

[3]

一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

龚一夫 ;

王亚倞 ;

赵扬 ;

翟玥 ;

图布新 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

薛兵 ;

李杨 ;

彭永纯 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN117626425B ,2024-04-26

[4]

一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

龚一夫 ;

王亚倞 ;

赵扬 ;

翟玥 ;

图布新 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

薛兵 ;

李杨 ;

彭永纯 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN117626425A ,2024-03-01

[5]

一种8英寸高压FRD元器件用外延片的制备方法 [P].

冯亮 ;

魏建宇 ;

马梦杰 ;

邓雪华 .

中国专利 :CN117334562A ,2024-01-02

[6]

一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN104103499B ,2014-10-15

[7]

一种大功率PIN器件硅外延片的制造方法 [P].

金龙 ;

李国鹏 ;

谭卫东 .

中国专利 :CN104409345B ,2015-03-11

[8]

一种IGBT硅外延片的制造方法 [P].

谭卫东 ;

马利行 ;

金龙 .

中国专利 :CN101256958B ,2008-09-03

[9]

一种高压功率器件用硅外延片的制备方法 [P].

周幸 ;

李明达 ;

王楠 ;

赵扬 ;

李普生 .

中国专利 :CN110379704B ,2019-10-25

[10]

一种8英寸VDMOS功率管用硅外延片的制造方法 [P].

马梦杰 .

中国专利 :CN110660649A ,2020-01-07

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