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硅8英寸大功率元器件制备用外延炉
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202020747761.4
申请日
:
2020-05-08
公开(公告)号
:
CN212077201U
公开(公告)日
:
2020-12-04
发明(设计)人
:
王作义
康宏
卞小玉
韩立琼
申请人
:
申请人地址
:
629000 四川省遂宁市国开区玉龙路598号创新创业孵化中心4011号
IPC主分类号
:
C30B2906
IPC分类号
:
C30B2514
代理机构
:
成都行之专利代理事务所(普通合伙) 51220
代理人
:
唐邦英
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-12-04
授权
授权
共 50 条
[1]
硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺
[P].
康宏
论文数:
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0
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康宏
;
王作义
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王作义
;
雒林生
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雒林生
;
石广宁
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石广宁
;
韩立琼
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韩立琼
.
中国专利
:CN111554565A
,2020-08-18
[2]
一种8英寸大功率IGBT元器件用外延片的制备方法
[P].
魏建宇
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魏建宇
;
骆红
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骆红
;
葛华
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葛华
.
中国专利
:CN108417483B
,2018-08-17
[3]
大功率元器件散热结构
[P].
安东尼
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安东尼
.
中国专利
:CN203722982U
,2014-07-16
[4]
大功率元器件相变吸热结构
[P].
孔星
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孔星
.
中国专利
:CN204335251U
,2015-05-13
[5]
贴片大功率元器件散热结构
[P].
安东尼
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安东尼
.
中国专利
:CN203722911U
,2014-07-16
[6]
大功率元器件的外壳
[P].
H·韦特
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H·韦特
;
L·伯格
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L·伯格
;
W·许布谢尔
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W·许布谢尔
.
中国专利
:CN1930646A
,2007-03-14
[7]
一种8英寸高压FRD元器件用外延片的制备方法
[P].
冯亮
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机构:
南京国盛电子有限公司
南京国盛电子有限公司
冯亮
;
魏建宇
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机构:
南京国盛电子有限公司
南京国盛电子有限公司
魏建宇
;
马梦杰
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机构:
南京国盛电子有限公司
南京国盛电子有限公司
马梦杰
;
邓雪华
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机构:
南京国盛电子有限公司
南京国盛电子有限公司
邓雪华
.
中国专利
:CN117334562A
,2024-01-02
[8]
LED元器件(大功率)
[P].
何文铭
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何文铭
.
中国专利
:CN301302363S
,2010-08-04
[9]
LED元器件(大功率)
[P].
雷自合
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雷自合
;
李军政
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李军政
;
谢志国
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谢志国
.
中国专利
:CN302012535S
,2012-07-25
[10]
大功率元器件相变吸热结构
[P].
孔星
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孔星
.
中国专利
:CN104582432A
,2015-04-29
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