8英寸薄层外延片、均匀性控制方法及应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710093514.X

申请日：

2017-02-21

公开(公告)号：

CN106876248B

公开(公告)日：

2017-06-20

发明(设计)人：

张志勤陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟任丽翠米姣

申请人：

申请人地址：

050200 河北省石家庄市石家庄鹿泉高新区昌盛大街21号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2906

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

王荣君

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-20	公开	公开
2017-07-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101734187462 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:201710093514X 申请日:20170221
2019-11-12	授权	授权

共 50 条

[1]

6英寸As背封衬底MOS器件外延片均匀性的控制方法 [P].

薛宏伟 .

中国专利 :CN100508118C ,2008-02-13

[2]

一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

龚一夫 ;

王亚倞 ;

赵扬 ;

翟玥 ;

图布新 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

薛兵 ;

李杨 ;

彭永纯 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN117626425B ,2024-04-26

[3]

一种8英寸肖特基管用硅外延片的制造方法 [P].

马林宝 .

中国专利 :CN104103499B ,2014-10-15

[4]

一种IGBT用8英寸硅外延片的制备方法 [P].

刘奇 ;

龚一夫 ;

王亚倞 ;

赵扬 ;

翟玥 ;

图布新 ;

李明达 ;

傅颖洁 ;

薛兵 ;

李杨 ;

彭永纯 ;

唐发俊 .

中国专利 :CN117626425A ,2024-03-01

[5]

8英寸功率芯片的硅外延片生产工艺 [P].

王作义 ;

康宏 ;

马洪文 ;

胡宝平 ;

陈小铎 ;

崔永明 ;

卞小玉 .

中国专利 :CN107699944B ,2018-02-16

[6]

一种8英寸VDMOS功率管用硅外延片的制造方法 [P].

马梦杰 .

中国专利 :CN110660649A ,2020-01-07

[7]

提高外延层电阻均匀性的方法、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 .

中国专利 :CN102420111B ,2012-04-18

[8]

硅8英寸大功率元器件外延片制备工艺 [P].

康宏 ;

王作义 ;

雒林生 ;

石广宁 ;

韩立琼 .

中国专利 :CN111554565A ,2020-08-18

[9]

一种生长薄层高阻硅外延片的方法及所制得的外延片 [P].

马梦杰 ;

王银海 ;

邓雪华 ;

杨帆 .

中国专利 :CN113322513A ,2021-08-31

[10]

硅基外延片厚度均匀性控制装置及控制方法 [P].

徐新华 .

中国专利 :CN119121397A ,2024-12-13

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