一种生长薄层高阻硅外延片的方法及所制得的外延片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110883682.5

申请日：

2021-08-03

公开(公告)号：

CN113322513A

公开(公告)日：

2021-08-31

发明(设计)人：

马梦杰王银海邓雪华杨帆

申请人：

申请人地址：

211100 江苏省南京市江宁区正方中路166号

IPC主分类号：

C30B2514

IPC分类号：

C30B2516 C30B2906 C30B3116 C30B3118 H01L2102

代理机构：

南京苏高专利商标事务所(普通合伙) 32204

代理人：

张弛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-09-17	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/14 申请日:20210803
2021-08-31	公开	公开
2022-07-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):C30B 25/14 申请公布日:20210831

共 50 条

[1]

外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片 [P].

土屋庆太郎 ;

萩本和德 ;

篠宫胜 .

中国专利 :CN112753092A ,2021-05-04

[2]

外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片 [P].

土屋庆太郎 ;

萩本和德 ;

篠宫胜 .

日本专利 :CN112753092B ,2024-12-20

[3]

硅外延片的制备方法及硅外延片 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525415B ,2024-01-30

[4]

硅外延片的制造方法及硅外延片 [P].

金谷晃一 ;

西泽毅 .

中国专利 :CN1864245A ,2006-11-15

[5]

外延生长方法及外延片 [P].

何斌斌 ;

俎世琦 .

中国专利 :CN119351997A ,2025-01-24

[6]

InGaAsP外延片的生长方法及外延片 [P].

王旭光 ;

邱晓升 ;

蔡蔚宏 ;

倪健 .

中国专利 :CN121126937A ,2025-12-12

[7]

一种超薄层反型高阻硅外延片的制备方法 [P].

贾宇 ;

韩旭 ;

尤晓杰 ;

张广豹 ;

郭佳龙 .

中国专利 :CN117721529A ,2024-03-19

[8]

常压下P+衬底上生长N‑硅外延片的方法及外延片的应用 [P].

米姣 ;

王刚 ;

陈秉克 ;

赵丽霞 ;

袁肇耿 ;

薛宏伟 ;

吴会旺 ;

张绪刚 .

中国专利 :CN106803480A ,2017-06-06

[9]

双层外延片的生长方法及双层外延片 [P].

陈海波 ;

陈建纲 .

中国专利 :CN109371471B ,2019-02-22

[10]

外延生长方法及外延片 [P].

王娜 ;

俎世琦 ;

金柱炫 .

中国专利 :CN119913611A ,2025-05-02

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