常压下P+衬底上生长N‑硅外延片的方法及外延片的应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710078667.7

申请日：

2017-02-14

公开(公告)号：

CN106803480A

公开(公告)日：

2017-06-06

发明(设计)人：

米姣王刚陈秉克赵丽霞袁肇耿薛宏伟吴会旺张绪刚

申请人：

申请人地址：

050200 河北省石家庄市石家庄鹿泉高新区昌盛大街21号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

代理机构：

石家庄国为知识产权事务所 13120

代理人：

李荣文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-06-06	公开	公开
2017-06-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101730167885 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2017100786677 申请日:20170214
2021-06-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20170606

共 50 条

[1]

P++衬底上P-层硅外延片的制备方法 [P].

侯志义 ;

袁肇耿 ;

薛宏伟 ;

赵丽霞 ;

田中元 ;

许斌武 ;

李永辉 .

中国专利 :CN103247576B ,2013-08-14

[2]

硅外延片的制备方法及硅外延片 [P].

郭艳敏 ;

王楠 ;

赵堃 ;

莫宇 .

中国专利 :CN116525415B ,2024-01-30

[3]

外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片 [P].

土屋庆太郎 ;

萩本和德 ;

篠宫胜 .

中国专利 :CN112753092A ,2021-05-04

[4]

外延片的制造方法、外延生长用硅系基板及外延片 [P].

土屋庆太郎 ;

萩本和德 ;

篠宫胜 .

日本专利 :CN112753092B ,2024-12-20

[5]

硅外延片的制造方法及硅外延片 [P].

金谷晃一 ;

西泽毅 .

中国专利 :CN1864245A ,2006-11-15

[6]

用于制造硅外延片的单片式外延炉的外延生长单元及应用 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN206494986U ,2017-09-15

[7]

用于制造硅外延片的单片式外延炉的外延生长单元及应用 [P].

曾泽斌 .

中国专利 :CN106757326A ,2017-05-31

[8]

外延生长方法及外延片 [P].

何斌斌 ;

俎世琦 .

中国专利 :CN119351997A ,2025-01-24

[9]

InGaAsP外延片的生长方法及外延片 [P].

王旭光 ;

邱晓升 ;

蔡蔚宏 ;

倪健 .

中国专利 :CN121126937A ,2025-12-12

[10]

生长在Ag衬底上的LED外延片 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203895486U ,2014-10-22

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