提高外延层电阻均匀性的方法、外延片及半导体器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110273821.9

申请日：

2011-09-15

公开(公告)号：

CN102420111B

公开(公告)日：

2012-04-18

发明(设计)人：

顾昱钟旻远林志鑫

申请人：

申请人地址：

201707 上海市青浦区北青公路8228号二区48号

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L21265 C30B3122

代理机构：

上海脱颖律师事务所 31259

代理人：

李强

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-06-18	授权	授权
2012-04-18	公开	公开
2012-05-30	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101256119541 IPC(主分类):H01L 21/02 专利申请号:2011102738219 申请日:20110915

共 50 条

[1]

外延片衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 .

中国专利 :CN102412271A ,2012-04-11

[2]

衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN202332857U ,2012-07-11

[3]

衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN102324435A ,2012-01-18

[4]

可降低外延时自掺杂的外延片衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN202332817U ,2012-07-11

[5]

可降低外延时自掺杂的外延片衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN102324406A ,2012-01-18

[6]

新型衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN102332465A ,2012-01-25

[7]

新型衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN202332856U ,2012-07-11

[8]

外延片用衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN102376752A ,2012-03-14

[9]

外延片用衬底、外延片及半导体器件 [P].

顾昱 ;

钟旻远 ;

林志鑫 ;

陈斌 .

中国专利 :CN202282351U ,2012-06-20

[10]

半导体的外延片及半导体器件 [P].

林大野 ;

蔡钦铭 ;

王治中 .

中国专利 :CN214336705U ,2021-10-01

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