掺杂剂组合物、掺杂剂注入层和掺杂层的形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610918606.2

申请日：

2013-03-29

公开(公告)号：

CN106887384B

公开(公告)日：

2017-06-23

发明(设计)人：

今村哲也富泽由香池田吉纪

申请人：

申请人地址：

日本大阪府大阪市

IPC主分类号：

H01L21208

IPC分类号：

H01L2122 H01L21225 H01L21268 H01L21336 H01L29786 H01L2712

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

童春媛;李炳爱

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101735219251 申请日:20130329 IPC(主分类):H01L 21/208 专利申请号:2016109186062
2018-12-14	授权	授权
2017-06-23	公开	公开

共 50 条

[1]

掺杂剂注入层 [P].

J·D·麦克肯齐 ;

E·琼斯 ;

Y·中泽 .

中国专利 :CN103858248A ,2014-06-11

[2]

掺杂剂注入层、其形成方法及半导体装置的制造方法 [P].

今村哲也 ;

富泽由香 ;

池田吉纪 .

中国专利 :CN107039532A ,2017-08-11

[3]

掺杂剂掺杂装置 [P].

芮阳 .

中国专利 :CN208844224U ,2019-05-10

[4]

掺杂剂容器 [P].

黄首义 ;

张洁 ;

王旻峰 ;

付芬 ;

邓树军 .

中国专利 :CN214525091U ,2021-10-29

[5]

多重掺杂剂发射层OLED [P].

V·阿达莫维奇 ;

M·S·韦弗 ;

M-H·M·卢 .

中国专利 :CN101427397B ,2009-05-06

[6]

手性掺杂剂 [P].

O·帕里 ;

P·诺兰 ;

L·法兰德 ;

A·梅 .

中国专利 :CN1223657A ,1999-07-21

[7]

硼酸酯、含硼掺杂剂和制造含硼掺杂剂的方法 [P].

R.A.斯皮尔 ;

E.W.小拉特 ;

L.M.梅丁 ;

H.X.徐 .

中国专利 :CN103748101B ,2014-04-23

[8]

纳米材料‑掺杂剂组合物复合体制造方法、纳米材料‑掺杂剂组合物复合体和掺杂剂组合物 [P].

野野口斐之 ;

河合壮 ;

上绀屋史彦 ;

大桥贤次 ;

武田一宏 .

中国专利 :CN106415866A ,2017-02-15

[9]

用于离子注入的掺杂剂组合物 [P].

A·雷伊尼克尔 ;

A·K·辛哈 .

中国专利 :CN109362231B ,2019-02-19

[10]

用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物，以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法 [P].

周理古 ;

R.A.斯皮尔 ;

R.Y-K.梁 ;

樊文亚 ;

H.X.徐 ;

L.M.梅廷 ;

A.S.布哈纳普 .

中国专利 :CN103890107A ,2014-06-25

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