用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物，以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201280051982.6

申请日：

2012-10-12

公开(公告)号：

CN103890107A

公开(公告)日：

2014-06-25

发明(设计)人：

周理古 R.A.斯皮尔 R.Y-K.梁樊文亚 H.X.徐 L.M.梅廷 A.S.布哈纳普

申请人：

申请人地址：

美国新泽西州

IPC主分类号：

C09D1103

IPC分类号：

H01L21265

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

赵苏林;杨思捷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588904055 IPC(主分类):C09D 11/03 专利申请号:2012800519826 申请日:20121012
2016-08-31	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101738387817 IPC(主分类):C09D 11/03 专利申请号:2012800519826 申请公布日:20140625
2014-06-25	公开	公开

共 50 条

[1]

掺杂剂组合物、掺杂剂注入层和掺杂层的形成方法 [P].

今村哲也 ;

富泽由香 ;

池田吉纪 .

中国专利 :CN106887384B ,2017-06-23

[2]

含磷掺杂剂以及使用含磷掺杂剂在半导体衬底中形成磷掺杂区域的方法 [P].

黄红敏 ;

C·高 ;

Z·丁 ;

A·彭 ;

刘亚群 .

中国专利 :CN102057466A ,2011-05-11

[3]

纳米材料‑掺杂剂组合物复合体制造方法、纳米材料‑掺杂剂组合物复合体及掺杂剂组合物 [P].

野野口斐之 ;

河合壮 ;

中野元博 .

中国专利 :CN106463603A ,2017-02-22

[4]

纳米材料‑掺杂剂组合物复合体制造方法、纳米材料‑掺杂剂组合物复合体和掺杂剂组合物 [P].

野野口斐之 ;

河合壮 ;

上绀屋史彦 ;

大桥贤次 ;

武田一宏 .

中国专利 :CN106415866A ,2017-02-15

[5]

用于离子注入的掺杂剂组合物 [P].

A·雷伊尼克尔 ;

A·K·辛哈 .

中国专利 :CN109362231B ,2019-02-19

[6]

新颖的染料掺杂剂、包含此染料掺杂剂的组合物、以及包括此组合物的光电组件 [P].

王瑞仁 ;

王立义 ;

梁晋伟 .

中国专利 :CN102086308A ,2011-06-08

[7]

掺杂剂油墨组合物以及由其制造太阳能电池的方法 [P].

保罗·卢斯科托福 ;

坎恩·伍 ;

斯蒂夫·莫里萨 .

中国专利 :CN103998538A ,2014-08-20

[8]

硼酸酯、含硼掺杂剂和制造含硼掺杂剂的方法 [P].

R.A.斯皮尔 ;

E.W.小拉特 ;

L.M.梅丁 ;

H.X.徐 .

中国专利 :CN103748101B ,2014-04-23

[9]

预掺杂剂、使用该预掺杂剂的蓄电装置及其制造方法 [P].

木谷泰行 ;

樱庭孝仁 ;

工藤聪 ;

马场健 .

中国专利 :CN104078708B ,2014-10-01

[10]

用于δ掺杂多层结构的掺杂剂校准的方法 [P].

P·L·德索扎 ;

C·V·－B·特里布西 ;

M·P·皮尔斯 ;

S·M·兰迪 .

中国专利 :CN101095236A ,2007-12-26

← 1 2 3 4 5 →