含磷掺杂剂以及使用含磷掺杂剂在半导体衬底中形成磷掺杂区域的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200980121738.0

申请日：

2009-08-18

公开(公告)号：

CN102057466A

公开(公告)日：

2011-05-11

发明(设计)人：

黄红敏 C·高 Z·丁 A·彭刘亚群

申请人：

申请人地址：

美国新泽西州

IPC主分类号：

H01L21265

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

曹小刚;林毅斌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-09-11	授权	授权
2011-09-28	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101112725852 IPC(主分类):H01L 21/265 专利申请号:2009801217380 申请日:20090818
2011-05-11	公开	公开
2020-07-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20090818 授权公告日:20130911 终止日期:20190818

共 50 条

[1]

用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物，以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法 [P].

周理古 ;

R.A.斯皮尔 ;

R.Y-K.梁 ;

樊文亚 ;

H.X.徐 ;

L.M.梅廷 ;

A.S.布哈纳普 .

中国专利 :CN103890107A ,2014-06-25

[2]

掺杂剂组合物、掺杂剂注入层和掺杂层的形成方法 [P].

今村哲也 ;

富泽由香 ;

池田吉纪 .

中国专利 :CN106887384B ,2017-06-23

[3]

用于半导体衬底掺杂剂活化的RTP尖峰退火 [P].

林金明 ;

杨宗儒 ;

杨棋铭 .

中国专利 :CN101789365B ,2010-07-28

[4]

作为掺杂剂的磷酰三胺及其聚合物 [P].

罗伊斯·简尼·阿尼罗 ;

斯蒂芬·威克弗德·卡特林 ;

丹尼尔·福兰克·哈里斯 .

中国专利 :CN85104374A ,1986-12-03

[5]

掺杂剂加料器、掺杂半导体材料的制备系统及方法 [P].

肖贵云 ;

白枭龙 ;

尚伟泽 .

中国专利 :CN112160020A ,2021-01-01

[6]

减慢半导体衬底中掺杂剂扩散的方法及由此制作的器件 [P].

李康伦 ;

朱慧珑 .

中国专利 :CN1830068A ,2006-09-06

[7]

硼酸酯、含硼掺杂剂和制造含硼掺杂剂的方法 [P].

R.A.斯皮尔 ;

E.W.小拉特 ;

L.M.梅丁 ;

H.X.徐 .

中国专利 :CN103748101B ,2014-04-23

[8]

预掺杂剂、使用该预掺杂剂的蓄电装置及其制造方法 [P].

木谷泰行 ;

樱庭孝仁 ;

工藤聪 ;

马场健 .

中国专利 :CN104078708B ,2014-10-01

[9]

半导体生产中掺杂剂的称量系统 [P].

方峰 ;

高恺 ;

邓德辉 ;

郑沉 ;

张楠 .

中国专利 :CN101625253A ,2010-01-13

[10]

用于提供具有活性掺杂剂层结构的半导体衬底的方法 [P].

R·C·苏尔迪奴 .

中国专利 :CN100442444C ,2005-07-27

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