纳米材料‑掺杂剂组合物复合体制造方法、纳米材料‑掺杂剂组合物复合体及掺杂剂组合物

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580022883.9

申请日：

2015-06-19

公开(公告)号：

CN106463603A

公开(公告)日：

2017-02-22

发明(设计)人：

野野口斐之河合壮中野元博

申请人：

申请人地址：

日本奈良县

IPC主分类号：

H01L3522

IPC分类号：

B82Y3000 B82Y4000 C01B3102 H01L2906 H01L3534 H01L5100 H01L5130 H01L5140

代理机构：

北京市中咨律师事务所 11247

代理人：

王磊;段承恩

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-03-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101708560665 IPC(主分类):H01L 35/22 专利申请号:2015800228839 申请日:20150619
2019-11-26	授权	授权
2017-02-22	公开	公开

共 50 条

[1]

纳米材料‑掺杂剂组合物复合体制造方法、纳米材料‑掺杂剂组合物复合体和掺杂剂组合物 [P].

野野口斐之 ;

河合壮 ;

上绀屋史彦 ;

大桥贤次 ;

武田一宏 .

中国专利 :CN106415866A ,2017-02-15

[2]

掺杂剂组合物、掺杂剂注入层和掺杂层的形成方法 [P].

今村哲也 ;

富泽由香 ;

池田吉纪 .

中国专利 :CN106887384B ,2017-06-23

[3]

掺杂剂及导体材料 [P].

冈本敏宏 ;

黑泽忠法 ;

竹谷纯一 ;

池田大次 ;

横尾健 ;

赤井泰之 .

中国专利 :CN115397803A ,2022-11-25

[4]

掺杂剂及导体材料 [P].

冈本敏宏 ;

黑泽忠法 ;

竹谷纯一 ;

池田大次 ;

横尾健 ;

赤井泰之 .

日本专利 :CN115397803B ,2025-02-14

[5]

用于在半导体基底中形成掺杂区域的掺杂剂油墨组合物，以及用于制造掺杂剂油墨组合物的方法 [P].

周理古 ;

R.A.斯皮尔 ;

R.Y-K.梁 ;

樊文亚 ;

H.X.徐 ;

L.M.梅廷 ;

A.S.布哈纳普 .

中国专利 :CN103890107A ,2014-06-25

[6]

用于离子注入的掺杂剂组合物 [P].

A·雷伊尼克尔 ;

A·K·辛哈 .

中国专利 :CN109362231B ,2019-02-19

[7]

新颖的染料掺杂剂、包含此染料掺杂剂的组合物、以及包括此组合物的光电组件 [P].

王瑞仁 ;

王立义 ;

梁晋伟 .

中国专利 :CN102086308A ,2011-06-08

[8]

硼酸酯、含硼掺杂剂和制造含硼掺杂剂的方法 [P].

R.A.斯皮尔 ;

E.W.小拉特 ;

L.M.梅丁 ;

H.X.徐 .

中国专利 :CN103748101B ,2014-04-23

[9]

含硼掺杂剂组合物、使用其的系统和方法 [P].

A.K.辛哈 ;

S.M.史密斯 ;

D.C.海德曼 ;

S.M.坎珀 .

中国专利 :CN109119316B ,2019-01-01

[10]

主体化合物和掺杂剂化合物的组合 [P].

K-J·李 ;

S-K·尹 ;

C-S·金 ;

H·金 ;

S-W·李 ;

S-Y·钟 ;

S-H·李 ;

J-E·杨 ;

Y-K·金 ;

Y-J·曹 ;

K-J·朴 ;

S-W·蒋 .

中国专利 :CN105531349A ,2016-04-27

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