含硼掺杂剂组合物、使用其的系统和方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810954282.7

申请日：

2015-03-03

公开(公告)号：

CN109119316B

公开(公告)日：

2019-01-01

发明(设计)人：

A.K.辛哈 S.M.史密斯 D.C.海德曼 S.M.坎珀

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

H01J37317

IPC分类号：

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

段菊兰;杨戬

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-01	公开	公开
2022-02-08	授权	授权
2019-01-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/317 申请日:20150303

共 50 条

[1]

含硼掺杂剂组合物、使用其来改善硼离子注入期间离子束电流和性能的系统和方法 [P].

A.K.辛哈 ;

S.M.史密斯 ;

D.C.海德曼 ;

S.M.坎珀 .

中国专利 :CN106062918A ,2016-10-26

[2]

用于改善在硼离子注入期间离子束电流和性能的含硼掺杂剂组合物、系统和其使用方法 [P].

A.K.辛哈 ;

S.M.史密斯 ;

D.C.海德曼 ;

S.M.坎珀 .

中国专利 :CN106935465A ,2017-07-07

[3]

硼酸酯、含硼掺杂剂和制造含硼掺杂剂的方法 [P].

R.A.斯皮尔 ;

E.W.小拉特 ;

L.M.梅丁 ;

H.X.徐 .

中国专利 :CN103748101B ,2014-04-23

[4]

掺杂剂组合物、掺杂剂注入层和掺杂层的形成方法 [P].

今村哲也 ;

富泽由香 ;

池田吉纪 .

中国专利 :CN106887384B ,2017-06-23

[5]

纳米材料‑掺杂剂组合物复合体制造方法、纳米材料‑掺杂剂组合物复合体和掺杂剂组合物 [P].

野野口斐之 ;

河合壮 ;

上绀屋史彦 ;

大桥贤次 ;

武田一宏 .

中国专利 :CN106415866A ,2017-02-15

[6]

用于离子注入系统的含锡掺杂剂组合物、系统和方法 [P].

A·雷伊尼克尔 ;

A·K·辛哈 ;

郭琼 .

中国专利 :CN108604524B ,2018-09-28

[7]

使用微波辐射活化掺杂剂的方法和系统 [P].

蔡俊雄 ;

林衍廷 ;

詹承彥 ;

林以唐 ;

万幸仁 .

中国专利 :CN104347366A ,2015-02-11

[8]

用于离子注入的掺杂剂组合物 [P].

A·雷伊尼克尔 ;

A·K·辛哈 .

中国专利 :CN109362231B ,2019-02-19

[9]

纳米材料‑掺杂剂组合物复合体制造方法、纳米材料‑掺杂剂组合物复合体及掺杂剂组合物 [P].

野野口斐之 ;

河合壮 ;

中野元博 .

中国专利 :CN106463603A ,2017-02-22

[10]

含硼掺杂剂浆料及其应用 [P].

杨立功 ;

邓舜 ;

奚琦鹏 ;

袁丽娟 ;

潘琦 .

中国专利 :CN109860032A ,2019-06-07

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