用于改善在硼离子注入期间离子束电流和性能的含硼掺杂剂组合物、系统和其使用方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610116525.0

申请日：

2016-03-02

公开(公告)号：

CN106935465A

公开(公告)日：

2017-07-07

发明(设计)人：

A.K.辛哈 S.M.史密斯 D.C.海德曼 S.M.坎珀

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

H01J37317

IPC分类号：

H01J3708

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

周蓉;李炳爱

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-07-07	公开	公开
2021-07-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01J 37/317 申请公布日:20170707
2018-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01J 37/317 申请日:20160302

共 17 条

[1]

含硼掺杂剂组合物、使用其来改善硼离子注入期间离子束电流和性能的系统和方法 [P].

A.K.辛哈 ;

S.M.史密斯 ;

D.C.海德曼 ;

S.M.坎珀 .

中国专利 :CN106062918A ,2016-10-26

[2]

用于改进硅离子注入期间的离子束电流和性能的含硅掺杂剂组合物、使用该组合物的系统和方法 [P].

A.K.辛哈 ;

L.A.布朗 ;

S.M.坎珀 .

中国专利 :CN104584183A ,2015-04-29

[3]

含硼掺杂剂组合物、使用其的系统和方法 [P].

A.K.辛哈 ;

S.M.史密斯 ;

D.C.海德曼 ;

S.M.坎珀 .

中国专利 :CN109119316B ,2019-01-01

[4]

用于离子注入的掺杂剂组合物 [P].

A·雷伊尼克尔 ;

A·K·辛哈 .

中国专利 :CN109362231B ,2019-02-19

[5]

用于离子注入系统的含锡掺杂剂组合物、系统和方法 [P].

A·雷伊尼克尔 ;

A·K·辛哈 ;

郭琼 .

中国专利 :CN108604524B ,2018-09-28

[6]

用于离子注入系统的离子束角度测量系统和方法 [P].

布赖恩·弗瑞尔 ;

亚历山大·普瑞尔 .

中国专利 :CN101361160A ,2009-02-04

[7]

使用替代的氟化含硼前驱体的硼离子注入和用于注入的大氢化硼的形成 [P].

卡尔·M·奥兰德 ;

乔斯·I·阿尔诺 ;

罗伯特·凯姆 .

中国专利 :CN101291742B ,2008-10-22

[8]

使用替代的氟化含硼前驱体的硼离子注入和用于注入的大氢化硼的形成 [P].

卡尔·M·奥兰德 ;

乔斯·I·阿尔诺 ;

罗伯特·凯姆 .

中国专利 :CN103170447A ,2013-06-26

[9]

用于改善注入束和源寿命性能的碳掺杂剂气体和协流 [P].

O·比尔 ;

E·A·斯特姆 ;

唐瀛 ;

S·N·耶德卫 ;

J·D·斯威尼 ;

S·G·瑟吉 ;

B·L·钱伯斯 .

中国专利 :CN104272433A ,2015-01-07

[10]

用于改善注入束和源寿命性能的碳掺杂剂气体和协流 [P].

O·比尔 ;

E·A·斯特姆 ;

唐瀛 ;

S·N·耶德卫 ;

J·D·斯威尼 ;

S·G·瑟吉 ;

B·L·钱伯斯 .

中国专利 :CN108565198A ,2018-09-21