使用替代的氟化含硼前驱体的硼离子注入和用于注入的大氢化硼的形成

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310020125.6

申请日：

2006-08-30

公开(公告)号：

CN103170447A

公开(公告)日：

2013-06-26

发明(设计)人：

卡尔·M·奥兰德乔斯·I·阿尔诺罗伯特·凯姆

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

B05D306

IPC分类号：

C23C1414 C23C1424 C23C1446 C23C1448 H01L21265 H01L21425

代理机构：

北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287

代理人：

刘国伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-06-26	公开	公开
2015-02-18	授权	授权
2013-07-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101497338307 IPC(主分类):B05D 3/06 专利申请号:2013100201256 申请日:20060830
2015-06-10	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101716214407 IPC(主分类):B05D 3/06 专利号:ZL2013100201256 变更事项:专利权人变更前权利人:先进科技材料公司变更后权利人:恩特格里斯公司变更事项:地址变更前权利人:美国康涅狄格州变更后权利人:美国马萨诸塞州登记生效日:20150521

共 50 条

[1]

使用替代的氟化含硼前驱体的硼离子注入和用于注入的大氢化硼的形成 [P].

卡尔·M·奥兰德 ;

乔斯·I·阿尔诺 ;

罗伯特·凯姆 .

中国专利 :CN101291742B ,2008-10-22

[2]

用于锗和硼离子注入的助气的实施 [P].

奈尔·卡尔文 ;

谢泽仁 .

中国专利 :CN103222029B ,2013-07-24

[3]

通过氟、氮、硼离子注入形成超浅结的方法 [P].

王学毅 ;

张扬波 ;

张正元 ;

谭开洲 .

中国专利 :CN101625969A ,2010-01-13

[4]

离子注入机和采用此离子注入机的离子注入方法 [P].

吴相根 ;

文常营 ;

金定坤 ;

金度亨 .

中国专利 :CN1189921C ,1997-09-10

[5]

用于离子注入的方法和装置 [P].

杰伊·T·舒尤尔 ;

格雷戈里·R·杰比拉热 .

中国专利 :CN1575503A ,2005-02-02

[6]

离子注入的方法 [P].

刘金华 .

中国专利 :CN101894748B ,2010-11-24

[7]

具有可变筛孔的离子注入系统及使用其的离子注入方法 [P].

李承熙 ;

梁英守 ;

金承彻 ;

崔灿承 ;

张圆培 ;

金民锡 .

中国专利 :CN101009191A ,2007-08-01

[8]

栅极形成后的离子注入方法 [P].

陈宇峰 ;

李中华 .

中国专利 :CN112259448B ,2021-01-22

[9]

形成位线接触和进行离子注入的方法 [P].

谢咏芬 .

中国专利 :CN1290035A ,2001-04-04

[10]

用于低温离子注入的方法和系统 [P].

张钧琳 ;

魏正泉 ;

吴欣贤 .

中国专利 :CN101781797B ,2010-07-21

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