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用于离子注入的方法和装置
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN02814496.1
申请日
:
2002-05-23
公开(公告)号
:
CN1575503A
公开(公告)日
:
2005-02-02
发明(设计)人
:
杰伊·T·舒尤尔
格雷戈里·R·杰比拉热
申请人
:
申请人地址
:
美国马萨诸塞州
IPC主分类号
:
H01J37317
IPC分类号
:
代理机构
:
永新专利商标代理有限公司
代理人
:
过晓东
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2005-04-06
实质审查的生效
实质审查的生效
2007-04-04
授权
授权
2005-02-02
公开
公开
2022-06-10
专利权的终止
专利权有效期届满 IPC(主分类):H01J 37/317 申请日:20020523 授权公告日:20070404
共 50 条
[1]
离子注入方法及离子注入装置
[P].
二宫史郎
论文数:
0
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0
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二宫史郎
;
冈本泰治
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冈本泰治
;
弓山敏男
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弓山敏男
;
越智昭浩
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越智昭浩
.
中国专利
:CN103227087B
,2013-07-31
[2]
用于低温离子注入的方法和系统
[P].
张钧琳
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张钧琳
;
魏正泉
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魏正泉
;
吴欣贤
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吴欣贤
.
中国专利
:CN101781797B
,2010-07-21
[3]
离子注入设备和离子注入方法
[P].
李军华
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
李军华
;
罗承先
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0
机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
罗承先
.
中国专利
:CN121075894A
,2025-12-05
[4]
离子注入的监控方法
[P].
陈雪峰
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陈雪峰
;
柴利林
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柴利林
.
中国专利
:CN104347441B
,2015-02-11
[5]
离子注入装置及离子注入方法
[P].
二宫史郎
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二宫史郎
;
工藤哲也
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工藤哲也
.
中国专利
:CN102832092B
,2012-12-19
[6]
离子注入方法及离子注入装置
[P].
二宫史郎
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二宫史郎
;
工藤哲也
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工藤哲也
;
越智昭浩
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越智昭浩
.
中国专利
:CN102693903A
,2012-09-26
[7]
控制离子注入工艺的方法和系统
[P].
郑逎汉
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郑逎汉
;
陈其贤
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陈其贤
.
中国专利
:CN101819926B
,2010-09-01
[8]
离子注入设备、离子注入装置
[P].
廖祥华
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机构:
深圳市鹏进高科技有限公司
深圳市鹏进高科技有限公司
廖祥华
;
贺金良
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机构:
深圳市鹏进高科技有限公司
深圳市鹏进高科技有限公司
贺金良
;
余懍智
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机构:
深圳市鹏进高科技有限公司
深圳市鹏进高科技有限公司
余懍智
;
杨树鑫
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机构:
深圳市鹏进高科技有限公司
深圳市鹏进高科技有限公司
杨树鑫
.
中国专利
:CN223552495U
,2025-11-14
[9]
离子注入方法及离子注入系统
[P].
艾义明
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0
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0
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艾义明
.
中国专利
:CN111162003B
,2020-05-15
[10]
离子注入设备及离子注入方法
[P].
於成星
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於成星
;
刘小辉
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刘小辉
;
张和
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张和
;
周静兰
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周静兰
;
刘修忠
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刘修忠
;
沈保家
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沈保家
;
李军辉
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0
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李军辉
.
中国专利
:CN112820613B
,2021-05-18
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