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用于低温离子注入的方法和系统
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN200910162396.9
申请日
:
2009-08-13
公开(公告)号
:
CN101781797B
公开(公告)日
:
2010-07-21
发明(设计)人
:
张钧琳
魏正泉
吴欣贤
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾新竹
IPC主分类号
:
C30B3122
IPC分类号
:
H01L21265
H01L21425
代理机构
:
北京德恒律师事务所 11306
代理人
:
马佑平;马铁良
法律状态
:
授权
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2012-09-05
授权
授权
2010-07-21
公开
公开
2010-09-15
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101005819412 IPC(主分类):C30B 31/22 专利申请号:2009101623969 申请日:20090813
共 50 条
[1]
用于离子注入的方法和装置
[P].
杰伊·T·舒尤尔
论文数:
0
引用数:
0
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0
杰伊·T·舒尤尔
;
格雷戈里·R·杰比拉热
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0
格雷戈里·R·杰比拉热
.
中国专利
:CN1575503A
,2005-02-02
[2]
离子注入方法及离子注入装置
[P].
二宫史郎
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二宫史郎
;
冈本泰治
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冈本泰治
;
弓山敏男
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弓山敏男
;
越智昭浩
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越智昭浩
.
中国专利
:CN103227087B
,2013-07-31
[3]
低温离子注入方法
[P].
约翰·D·波拉克
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约翰·D·波拉克
;
万志民
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万志民
;
艾瑞克·科拉
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0
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艾瑞克·科拉
.
中国专利
:CN102212793A
,2011-10-12
[4]
低温离子注入方法
[P].
约翰·D·波拉克
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约翰·D·波拉克
;
万志民
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万志民
;
艾瑞克·科拉
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艾瑞克·科拉
.
中国专利
:CN103834925B
,2014-06-04
[5]
控制离子注入工艺的方法和系统
[P].
郑逎汉
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郑逎汉
;
陈其贤
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陈其贤
.
中国专利
:CN101819926B
,2010-09-01
[6]
离子注入设备和离子注入方法
[P].
李军华
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机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
李军华
;
罗承先
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0
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0
机构:
合肥晶合集成电路股份有限公司
合肥晶合集成电路股份有限公司
罗承先
.
中国专利
:CN121075894A
,2025-12-05
[7]
离子注入的监控方法
[P].
陈雪峰
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陈雪峰
;
柴利林
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柴利林
.
中国专利
:CN104347441B
,2015-02-11
[8]
用于单离子注入的方法和系统
[P].
大卫·诺曼·杰米尔森
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0
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大卫·诺曼·杰米尔森
;
史蒂夫·卜劳
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史蒂夫·卜劳
;
安德鲁·史蒂夫·德祖瑞克
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安德鲁·史蒂夫·德祖瑞克
;
罗伯特·格雷姆·克拉克
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罗伯特·格雷姆·克拉克
;
杨长义
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杨长义
.
中国专利
:CN1295754C
,2004-11-03
[9]
一种监测低温离子注入的方法
[P].
邱裕明
论文数:
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邱裕明
;
肖天金
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肖天金
.
中国专利
:CN103882401A
,2014-06-25
[10]
离子注入设备及离子注入方法
[P].
於成星
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於成星
;
刘小辉
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刘小辉
;
张和
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张和
;
周静兰
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周静兰
;
刘修忠
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刘修忠
;
沈保家
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沈保家
;
李军辉
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0
李军辉
.
中国专利
:CN112820613B
,2021-05-18
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