低温离子注入方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410085914.2

申请日：

2011-03-17

公开(公告)号：

CN103834925B

公开(公告)日：

2014-06-04

发明(设计)人：

约翰·D·波拉克万志民艾瑞克·科拉

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹县宝山乡新竹科学工业园区研新一路18号5楼

IPC主分类号：

C23C1448

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

徐洁晶

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-01-27	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101727006646 IPC(主分类):C23C 14/48 专利申请号:2014100859142 登记生效日:20160105 变更事项:申请人变更前权利人:汉辰科技股份有限公司变更后权利人:汉辰科技股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:美国加利福尼亚州变更后权利人:中国台湾新竹县宝山乡新竹科学工业园区研新一路18号5楼
2014-07-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101583367819 IPC(主分类):C23C 14/48 专利申请号:2014100859142 申请日:20110317
2014-06-04	公开	公开
2017-01-11	授权	授权

共 50 条

[1]

低温离子注入方法 [P].

约翰·D·波拉克 ;

万志民 ;

艾瑞克·科拉 .

中国专利 :CN102212793A ,2011-10-12

[2]

用于低温离子注入的方法和系统 [P].

张钧琳 ;

魏正泉 ;

吴欣贤 .

中国专利 :CN101781797B ,2010-07-21

[3]

一种监测低温离子注入的方法 [P].

邱裕明 ;

肖天金 .

中国专利 :CN103882401A ,2014-06-25

[4]

一种低温离子注入方法及装置 [P].

康晓旭 .

中国专利 :CN115101399B ,2025-06-17

[5]

一种低温离子注入方法及装置 [P].

康晓旭 .

中国专利 :CN115101399A ,2022-09-23

[6]

低温离子注入的温度检测装置及其使用方法 [P].

李稳迪 ;

张立 ;

谢威 .

中国专利 :CN118448304A ,2024-08-06

[7]

一种半导体离子注入传输装置及离子注入设备 [P].

徐承宗 ;

刘勇 ;

朴松源 .

中国专利 :CN114078677A ,2022-02-22

[8]

一种半导体离子注入传输装置及离子注入设备 [P].

徐承宗 ;

刘勇 ;

朴松源 .

中国专利 :CN114078677B ,2024-03-15

[9]

一种用于低温离子注入的晶圆载盘 [P].

陆天 ;

张晓峰 ;

杨立军 ;

夏世伟 ;

杨光亮 ;

李书晓 ;

李鹏涛 ;

陈克禄 ;

李勇军 .

中国专利 :CN118398543A ,2024-07-26

[10]

一种改善低温离子注入中结露现象的装置和方法 [P].

曾绍海 ;

李铭 .

中国专利 :CN108766909B ,2018-11-06

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