一种低温离子注入方法及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210743807.9

申请日：

2022-06-28

公开(公告)号：

CN115101399B

公开(公告)日：

2025-06-17

发明(设计)人：

康晓旭

申请人：

上海集成电路研发中心有限公司上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司

申请人地址：

201210 上海市浦东新区张江高科技园区高斯路497号

IPC主分类号：

H01J37/317

IPC分类号：

H01L21/265 H01L21/67

代理机构：

上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286

代理人：

黄海霞

法律状态：

授权

国省代码：

上海市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-06-17	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低温离子注入方法及装置 [P].

康晓旭 .

中国专利 :CN115101399A ,2022-09-23

[2]

一种监测低温离子注入的方法 [P].

邱裕明 ;

肖天金 .

中国专利 :CN103882401A ,2014-06-25

[3]

离子注入方法及离子注入装置 [P].

二宫史郎 ;

冈本泰治 ;

弓山敏男 ;

越智昭浩 .

中国专利 :CN103227087B ,2013-07-31

[4]

低温离子注入方法 [P].

约翰·D·波拉克 ;

万志民 ;

艾瑞克·科拉 .

中国专利 :CN102212793A ,2011-10-12

[5]

低温离子注入方法 [P].

约翰·D·波拉克 ;

万志民 ;

艾瑞克·科拉 .

中国专利 :CN103834925B ,2014-06-04

[6]

离子注入方法及离子注入装置 [P].

川崎洋司 ;

佐野信 ;

塚原一孝 .

中国专利 :CN106920741A ,2017-07-04

[7]

离子注入装置及离子注入方法 [P].

二宫史郎 ;

工藤哲也 .

中国专利 :CN102832092B ,2012-12-19

[8]

离子注入方法及离子注入装置 [P].

二宫史郎 ;

工藤哲也 ;

越智昭浩 .

中国专利 :CN102693903A ,2012-09-26

[9]

离子注入设备及离子注入方法 [P].

於成星 ;

刘小辉 ;

张和 ;

周静兰 ;

刘修忠 ;

沈保家 ;

李军辉 .

中国专利 :CN112820613B ,2021-05-18

[10]

一种半导体离子注入传输装置及离子注入设备 [P].

徐承宗 ;

刘勇 ;

朴松源 .

中国专利 :CN114078677A ,2022-02-22

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