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栅极形成后的离子注入方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202011094788.9
申请日：
2020-10-14
公开(公告)号：
CN112259448B
公开(公告)日：
2021-01-22
发明(设计)人：
陈宇峰
李中华
申请人：
申请人地址：
201315 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号：
H01L21265
IPC分类号：
代理机构：
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人：
郭四华
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2022-11-29 | 授权 | 授权 |
| 2021-02-09 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/265 申请日:20201014 |
| 2021-01-22 | 公开 | 公开 |