用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810818481.5

申请日：

2013-07-09

公开(公告)号：

CN108822737B

公开(公告)日：

2018-11-16

发明(设计)人：

W.沃德

申请人：

申请人地址：

美国伊利诺伊州

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

詹承斌

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-06-22	授权	授权
2021-08-20	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):C09G 1/02 变更事项:专利权人变更前:嘉柏微电子材料股份公司变更后:CMC材料股份有限公司变更事项:地址变更前:美国伊利诺伊州变更后:美国伊利诺伊州
2018-12-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C09G 1/02 申请日:20130709
2018-11-16	公开	公开

共 50 条

[1]

用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法 [P].

W.沃德 .

中国专利 :CN104471015A ,2015-03-25

[2]

用于选择性抛光氮化硅材料的组合物及方法 [P].

W.沃德 .

中国专利 :CN103492519B ,2014-01-01

[3]

用于抛光氮化硅的组合物及方法 [P].

陈湛 ;

罗伯特.瓦卡希 ;

菲利普.卡特 ;

杰弗里.戴萨德 .

中国专利 :CN102604541A ,2012-07-25

[4]

用于抛光氮化硅的组合物及方法 [P].

陈湛 ;

罗伯特·瓦卡希 ;

菲利普·卡特 ;

杰弗里·戴萨德 .

中国专利 :CN101389722A ,2009-03-18

[5]

用于抛光氮化硅材料的组合物及方法 [P].

杰弗里·戴萨德 ;

斯里拉姆·安朱尔 ;

蒂莫西·约翰斯 ;

陈湛 .

中国专利 :CN101490201A ,2009-07-22

[6]

用于选择性抛光氮化硅层的组合物以及使用该组合物的抛光方法 [P].

平光亚衣 ;

伊藤隆 ;

堀哲二 .

中国专利 :CN1796482B ,2006-07-05

[7]

用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法 [P].

D.丹加 ;

K.莫根博格 ;

W.沃德 ;

D.马特加 .

中国专利 :CN105393337A ,2016-03-09

[8]

用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法 [P].

D.丹加 ;

K.莫根博格 ;

W.沃德 ;

D.马特加 .

中国专利 :CN110238705A ,2019-09-17

[9]

选择性蚀刻氮化硅的方法 [P].

多琳·玮盈·杨 ;

高德丰 ;

米哈伊尔·科里奥克 ;

约翰·苏迪约诺 ;

保罗·E·吉 .

美国专利 :CN120981897A ,2025-11-18

[10]

用于选择性蚀刻氮化硅的组合物和方法 [P].

余珠姬 ;

洪性辰 ;

金元来 ;

朴永勋 ;

姜娟熹 ;

郑珍煜 .

美国专利 :CN120835921A ,2025-10-24

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