用于抛光氮化硅的组合物及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210021422.8

申请日：

2007-03-06

公开(公告)号：

CN102604541A

公开(公告)日：

2012-07-25

发明(设计)人：

陈湛罗伯特.瓦卡希菲利普.卡特杰弗里.戴萨德

申请人：

申请人地址：

美国伊利诺伊州

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

H01L213105

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

宋莉

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-05-20	授权	授权
2020-03-10	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/3105 申请日:20070306 授权公告日:20150520 终止日期:20190306
2012-07-25	公开	公开
2012-09-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101328710874 IPC(主分类):C09G 1/02 专利申请号:2012100214228 申请日:20070306

共 50 条

[1]

用于抛光氮化硅的组合物及方法 [P].

陈湛 ;

罗伯特·瓦卡希 ;

菲利普·卡特 ;

杰弗里·戴萨德 .

中国专利 :CN101389722A ,2009-03-18

[2]

用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法 [P].

W.沃德 .

中国专利 :CN104471015A ,2015-03-25

[3]

用于氮化硅材料的选择性抛光的组合物及方法 [P].

W.沃德 .

中国专利 :CN108822737B ,2018-11-16

[4]

用于选择性抛光氮化硅材料的组合物及方法 [P].

W.沃德 .

中国专利 :CN103492519B ,2014-01-01

[5]

用于抛光氮化硅材料的组合物及方法 [P].

杰弗里·戴萨德 ;

斯里拉姆·安朱尔 ;

蒂莫西·约翰斯 ;

陈湛 .

中国专利 :CN101490201A ,2009-07-22

[6]

具有高的氮化硅对氧化硅移除速率比的抛光组合物及方法 [P].

杰弗里·戴萨德 ;

蒂莫西·约翰斯 .

中国专利 :CN102046743A ,2011-05-04

[7]

用于化学机械抛光氧化硅和氮化硅的组合物和方法 [P].

B·L·米勒 ;

徐浩峰 .

中国专利 :CN1637100A ,2005-07-13

[8]

用于高的氮化硅对氧化硅去除速率比率的抛光组合物及方法 [P].

菲利普·卡特 ;

蒂莫西·约翰斯 .

中国专利 :CN101065458A ,2007-10-31

[9]

用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法 [P].

D.丹加 ;

K.莫根博格 ;

W.沃德 ;

D.马特加 .

中国专利 :CN105393337A ,2016-03-09

[10]

用于氧化硅、氮化硅、和多晶硅材料的化学机械抛光的组合物和方法 [P].

D.丹加 ;

K.莫根博格 ;

W.沃德 ;

D.马特加 .

中国专利 :CN110238705A ,2019-09-17

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