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一种金刚石复合衬底氮化镓器件的制备方法及其器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202011375816.4
申请日
:
2020-11-30
公开(公告)号
:
CN112614880A
公开(公告)日
:
2021-04-06
发明(设计)人
:
任泽阳
梁振芳
张金风
苏凯
邢宇菲
杨士奇
许晟瑞
张进成
郝跃
申请人
:
申请人地址
:
710000 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
IPC主分类号
:
H01L2906
IPC分类号
:
H01L2916
H01L2920
H01L2102
代理机构
:
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人
:
刘长春
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-04-23
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/06 申请日:20201130
2021-04-06
公开
公开
共 50 条
[1]
一种孔径式复合衬底氮化镓器件及其制备方法
[P].
任泽阳
论文数:
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任泽阳
;
吕丹丹
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吕丹丹
;
张金风
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张金风
;
张进成
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张进成
;
张雅超
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张雅超
;
苏凯
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苏凯
;
郝跃
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郝跃
.
中国专利
:CN110223918A
,2019-09-10
[2]
一种基于金刚石衬底的氮化镓器件及其制备方法
[P].
任泽阳
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任泽阳
;
张金风
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张金风
;
吕丹丹
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吕丹丹
;
张进成
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张进成
;
苏凯
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苏凯
;
张雅超
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张雅超
;
郝跃
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郝跃
.
中国专利
:CN110164766A
,2019-08-23
[3]
一种基于金刚石衬底的氮化镓器件的制备方法
[P].
囤冠华
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囤冠华
;
赵海明
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赵海明
;
王敬
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王敬
;
任天令
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任天令
;
赵清
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赵清
;
单卫平
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单卫平
;
钮应喜
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钮应喜
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袁松
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袁松
;
史田超
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史田超
;
钟敏
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钟敏
;
左万胜
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左万胜
;
张晓洪
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张晓洪
.
中国专利
:CN114267592A
,2022-04-01
[4]
金刚石基氮化镓器件制造方法
[P].
倪贤锋
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倪贤锋
;
范谦
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范谦
;
何伟
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何伟
.
中国专利
:CN108847392A
,2018-11-20
[5]
金刚石基氮化镓器件制造方法
[P].
倪贤锋
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倪贤锋
;
范谦
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范谦
;
何伟
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何伟
.
中国专利
:CN108598036A
,2018-09-28
[6]
一种氮化镓器件和金刚石衬底的键合方法
[P].
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机构:
程哲
;
孙梓轩
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机构:
北京大学
北京大学
孙梓轩
;
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机构:
王润声
;
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机构:
黄如
.
中国专利
:CN118039495A
,2024-05-14
[7]
一种金刚石基氮化镓HEMT器件的制备方法
[P].
吴立枢
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机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
中国电子科技集团公司第五十五研究所
吴立枢
;
孔月婵
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机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
中国电子科技集团公司第五十五研究所
孔月婵
;
陈堂胜
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机构:
中国电子科技集团公司第五十五研究所
中国电子科技集团公司第五十五研究所
陈堂胜
.
中国专利
:CN118471808A
,2024-08-09
[8]
一种复合衬底及其制备方法和氮化镓器件
[P].
论文数:
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机构:
王鑫华
;
论文数:
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机构:
刘新宇
;
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机构:
高润华
;
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机构:
黄森
;
论文数:
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机构:
魏珂
.
中国专利
:CN117637818A
,2024-03-01
[9]
金刚石复合衬底、金刚石复合衬底的制备方法及GaN器件
[P].
梁剑波
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机构:
苏州晶和半导体科技有限公司
苏州晶和半导体科技有限公司
梁剑波
.
中国专利
:CN120388885A
,2025-07-29
[10]
基于金刚石的镓面极性氮化镓器件制造方法
[P].
倪贤锋
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倪贤锋
;
范谦
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范谦
;
何伟
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何伟
.
中国专利
:CN108878511A
,2018-11-23
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