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一种孔径式复合衬底氮化镓器件及其制备方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201910326087.4
申请日
:
2019-04-23
公开(公告)号
:
CN110223918A
公开(公告)日
:
2019-09-10
发明(设计)人
:
任泽阳
吕丹丹
张金风
张进成
张雅超
苏凯
郝跃
申请人
:
申请人地址
:
710071 陕西省西安市太白南路2号
IPC主分类号
:
H01L21335
IPC分类号
:
H01L29778
H01L2910
H01L2920
H01L23367
H01L23373
代理机构
:
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人
:
张捷
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2019-10-08
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20190423
2019-09-10
公开
公开
2021-01-15
授权
授权
共 50 条
[1]
一种金刚石复合衬底氮化镓器件的制备方法及其器件
[P].
任泽阳
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任泽阳
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梁振芳
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梁振芳
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张金风
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张金风
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苏凯
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苏凯
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邢宇菲
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邢宇菲
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杨士奇
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杨士奇
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许晟瑞
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许晟瑞
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张进成
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张进成
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郝跃
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郝跃
.
中国专利
:CN112614880A
,2021-04-06
[2]
一种复合衬底及其制备方法和氮化镓器件
[P].
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王鑫华
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刘新宇
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高润华
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黄森
;
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魏珂
.
中国专利
:CN117637818A
,2024-03-01
[3]
一种氮化镓器件及其制备方法
[P].
金航帅
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英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
金航帅
;
杜卫星
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英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
杜卫星
;
韦建松
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英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
韦建松
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刘少锋
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英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
刘少锋
.
中国专利
:CN117542881B
,2024-04-05
[4]
一种氮化镓器件及其制备方法
[P].
金航帅
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英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
金航帅
;
杜卫星
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英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
杜卫星
;
韦建松
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英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
韦建松
;
刘少锋
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机构:
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
英诺赛科(苏州)半导体有限公司
刘少锋
.
中国专利
:CN117542881A
,2024-02-09
[5]
硅-氮化镓复合衬底、复合器件及制备方法
[P].
陈龙
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陈龙
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程静云
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程静云
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商延卫
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商延卫
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马旺
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马旺
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陈祖尧
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陈祖尧
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袁理
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袁理
.
中国专利
:CN113130297A
,2021-07-16
[6]
用于制备氮化镓射频器件的衬底及其制备方法、氮化镓射频器件
[P].
袁卫华
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袁卫华
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程文进
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程文进
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孙勇
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孙勇
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徐松
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徐松
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罗才旺
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彭立波
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彭立波
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曹华翔
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曹华翔
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罗南安
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罗南安
.
中国专利
:CN112713082A
,2021-04-27
[7]
一种氮化镓复合基板、氮化镓器件及其制备方法
[P].
尹志军
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尹志军
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崔国新
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崔国新
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冯会会
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冯会会
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许志城
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许志城
.
中国专利
:CN112259604A
,2021-01-22
[8]
一种基于金刚石衬底的氮化镓器件及其制备方法
[P].
任泽阳
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任泽阳
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张金风
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张金风
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吕丹丹
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吕丹丹
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张进成
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张进成
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苏凯
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苏凯
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张雅超
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张雅超
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郝跃
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郝跃
.
中国专利
:CN110164766A
,2019-08-23
[9]
氮化镓功率器件的制备方法、氮化镓功率器件
[P].
刘君梦
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湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
刘君梦
;
叶念慈
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湖南三安半导体有限责任公司
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叶念慈
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刘成
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湖南三安半导体有限责任公司
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刘成
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王哲力
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湖南三安半导体有限责任公司
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王哲力
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梁玉玉
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湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
梁玉玉
.
中国专利
:CN118280836A
,2024-07-02
[10]
一种氮化镓功率器件的制备方法
[P].
陈兴
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陈兴
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黄永
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黄永
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沈琪
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沈琪
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王东
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王东
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吴勇
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陆俊
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陆俊
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季亚军
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季亚军
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陈军飞
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陈军飞
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孙凯
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邵语嫣
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邵语嫣
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中国专利
:CN114038750B
,2022-02-11
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