一种热载流子效应和总剂量效应的耦合仿真方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110907226.X

申请日：

2021-08-09

公开(公告)号：

CN113591320B

公开(公告)日：

2021-11-02

发明(设计)人：

刘红侠高子厚陈树鹏王树龙

申请人：

申请人地址：

710071 陕西省西安市太白南路2号

IPC主分类号：

G06F3020

IPC分类号：

G06F11914

代理机构：

陕西电子工业专利中心 61205

代理人：

王品华;陈媛

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-11-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G06F 30/20 申请日:20210809
2022-09-06	授权	授权
2021-11-02	公开	公开

共 50 条

[1]

抗总剂量效应的MOS场效应管 [P].

刘淼 ;

康晓峰 .

中国专利 :CN109585531A ,2019-04-05

[2]

一种抗总剂量效应的LDMOS器件 [P].

廖永波 ;

徐博洋 ;

李平 ;

黄德 ;

刘承鹏 ;

刘涛 .

中国专利 :CN110137248A ,2019-08-16

[3]

一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法及系统 [P].

包华广 ;

丁大志 ;

张天成 ;

秦浩然 ;

刘彤 .

中国专利 :CN118261091B ,2024-12-03

[4]

一种硅基MOSFET总剂量效应分析方法及系统 [P].

包华广 ;

刘彤 ;

丁大志 ;

张天成 ;

秦浩然 .

中国专利 :CN118261091A ,2024-06-28

[5]

一种总剂量效应与工艺波动耦合的电路仿真方法 [P].

郑齐文 ;

崔江维 ;

李小龙 ;

魏莹 ;

余学峰 ;

李豫东 ;

郭旗 .

中国专利 :CN112214952A ,2021-01-12

[6]

一种总剂量效应检测电路 [P].

罗萍 ;

凌荣勋 ;

周枭 ;

蒋鹏凯 ;

吴昱操 ;

肖皓洋 ;

李博 ;

王强 ;

甄少伟 .

中国专利 :CN109917271A ,2019-06-21

[7]

MOSFET器件的总剂量效应可缩放模型建立方法 [P].

吕红亮 ;

李晨霞 ;

姚如雪 ;

张玉明 ;

严思璐 .

中国专利 :CN120633400A ,2025-09-12

[8]

一种基于接口的电路级总剂量效应仿真方法 [P].

吕红亮 ;

姚如雪 ;

张育涛 ;

乔晶 ;

张玉明 .

中国专利 :CN117688880A ,2024-03-12

[9]

一种抗总剂量效应的NMOS器件及设计方法 [P].

罗萍 ;

冯皆凯 ;

吴昱操 .

中国专利 :CN117476767A ,2024-01-30

[10]

一种五管OTA总剂量效应建模仿真方法 [P].

陈树鹏 ;

何启航 ;

刘红侠 ;

王树龙 ;

张浩 .

中国专利 :CN120633557A ,2025-09-12

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