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具有降低电感的功率模块组件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201010538460.1
申请日
:
2010-10-29
公开(公告)号
:
CN102110680B
公开(公告)日
:
2011-06-29
发明(设计)人
:
R·A·博普雷
E·C·德尔加多
L·D·斯特瓦诺维克
申请人
:
申请人地址
:
美国纽约州
IPC主分类号
:
H01L2507
IPC分类号
:
H01L2349
H02M100
代理机构
:
中国专利代理(香港)有限公司 72001
代理人
:
周心志;谭祐祥
法律状态
:
公开
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2011-06-29
公开
公开
2012-10-17
实质审查的生效
实质审查的生效 号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101337335578 IPC(主分类):H01L 25/07 专利申请号:2010105384601 申请日:20101029
2019-08-06
授权
授权
共 50 条
[1]
具有降低的固有电感的功率模块
[P].
克里斯托弗·鲍尔
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克里斯托弗·鲍尔
;
彼得·韦斯
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彼得·韦斯
.
中国专利
:CN114914216A
,2022-08-16
[2]
减小电感的功率模块组件
[P].
T·G·沃德
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T·G·沃德
;
C·C·斯坦库
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C·C·斯坦库
;
M·亚克希奇
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M·亚克希奇
;
B·S·曼
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B·S·曼
.
中国专利
:CN107808852A
,2018-03-16
[3]
降低功率模块中的封装寄生电感
[P].
徐竹娴
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徐竹娴
;
雷光寅
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雷光寅
;
内文·阿尔通尤尔特
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内文·阿尔通尤尔特
;
陈靖奇
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陈靖奇
.
中国专利
:CN110572049A
,2019-12-13
[4]
具有双基底和减小电感的功率模块组件
[P].
T·G·沃德
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T·G·沃德
;
C·C·斯坦库
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C·C·斯坦库
;
M·亚克希奇
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M·亚克希奇
.
中国专利
:CN108231726A
,2018-06-29
[5]
低电感功率模块
[P].
檀春健
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机构:
深圳市国微三代半导体技术有限公司
深圳市国微三代半导体技术有限公司
檀春健
;
付嵩琦
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机构:
深圳市国微三代半导体技术有限公司
深圳市国微三代半导体技术有限公司
付嵩琦
;
王少刚
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深圳市国微三代半导体技术有限公司
深圳市国微三代半导体技术有限公司
王少刚
;
叶怀宇
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深圳市国微三代半导体技术有限公司
深圳市国微三代半导体技术有限公司
叶怀宇
;
鲁纲
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机构:
深圳市国微三代半导体技术有限公司
深圳市国微三代半导体技术有限公司
鲁纲
.
中国专利
:CN222233633U
,2024-12-24
[6]
低电感功率模块
[P].
A·克罗斯特曼
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A·克罗斯特曼
;
P·琼斯
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P·琼斯
.
中国专利
:CN103123919A
,2013-05-29
[7]
功率半导体组件、功率模块、功率半导体组件的制造方法和功率模块的制造方法
[P].
露野圆丈
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露野圆丈
;
宝藏寺裕之
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宝藏寺裕之
;
石井利昭
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石井利昭
;
诹访时人
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诹访时人
;
中津欣也
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中津欣也
;
德山健
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德山健
;
楠川顺平
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楠川顺平
.
中国专利
:CN103069935A
,2013-04-24
[8]
具有鲁棒性的低电感功率模块封装
[P].
B·L·劳登
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B·L·劳登
;
L·D·斯特瓦诺维奇
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L·D·斯特瓦诺维奇
.
中国专利
:CN109417051B
,2019-03-01
[9]
一种具有降低内部应力的功率模块
[P].
林雨晨
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机构:
上海海姆希科半导体有限公司
上海海姆希科半导体有限公司
林雨晨
;
毛先叶
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机构:
上海海姆希科半导体有限公司
上海海姆希科半导体有限公司
毛先叶
;
郑彤
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机构:
上海海姆希科半导体有限公司
上海海姆希科半导体有限公司
郑彤
.
中国专利
:CN223108877U
,2025-07-15
[10]
具有多层基底的功率模块
[P].
徐帆
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机构:
福特全球技术公司
福特全球技术公司
徐帆
;
陈礼华
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福特全球技术公司
福特全球技术公司
陈礼华
;
濑户贞至
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福特全球技术公司
福特全球技术公司
濑户贞至
;
杨水涛
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机构:
福特全球技术公司
福特全球技术公司
杨水涛
;
周彦
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福特全球技术公司
福特全球技术公司
周彦
;
葛宝明
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机构:
福特全球技术公司
福特全球技术公司
葛宝明
.
美国专利
:CN109427720B
,2024-11-29
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