具有鲁棒性的低电感功率模块封装

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201780023068.3

申请日：

2017-04-12

公开(公告)号：

CN109417051B

公开(公告)日：

2019-03-01

发明(设计)人：

B·L·劳登 L·D·斯特瓦诺维奇

申请人：

申请人地址：

美国纽约州

IPC主分类号：

H01L2300

IPC分类号：

H01L2507 H01L2518

代理机构：

上海华诚知识产权代理有限公司 31300

代理人：

徐颖聪

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/00 申请日:20170412
2022-08-23	授权	授权
2019-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

低电感功率模块 [P].

A·克罗斯特曼 ;

P·琼斯 .

中国专利 :CN103123919A ,2013-05-29

[2]

低电感功率模块 [P].

檀春健 ;

付嵩琦 ;

王少刚 ;

叶怀宇 ;

鲁纲 .

中国专利 :CN222233633U ,2024-12-24

[3]

低寄生电感封装基板及功率模块 [P].

杨俊苓 ;

顾伟 .

中国专利 :CN223638372U ,2025-12-05

[4]

杂散电感低的功率模块 [P].

D.科特 ;

F.特劳布 .

中国专利 :CN107424986B ,2017-12-01

[5]

具有低栅极通路电感的功率半导体模块 [P].

D.科泰特 ;

F.特劳布 ;

J.舒德雷尔 ;

A.阿佩尔斯迈尔 ;

J.阿萨姆 .

中国专利 :CN110050339A ,2019-07-23

[6]

具有低电感栅极交叉的功率半导体模块 [P].

A·施罗德 ;

S·基辛 ;

F·莫恩 ;

J·舒德勒 .

中国专利 :CN113728428A ,2021-11-30

[7]

具有低电感栅极交叉的功率半导体模块 [P].

A·施罗德 ;

S·基辛 ;

F·莫恩 ;

J·舒德勒 .

:CN113728428B ,2024-04-02

[8]

低电感功率半导体模块 [P].

R·拜尔勒 ;

T·施托克迈耶 .

中国专利 :CN1120737A ,1996-04-17

[9]

用于低电感功率模块的驱动电路以及具有增加的短路强度的低电感功率模块 [P].

S·施特拉赫 ;

K·奥伯迪克 ;

C·迈尔 .

中国专利 :CN115516766A ,2022-12-23

[10]

一种具有低电感结构的功率模块及封装结构 [P].

刘乐 ;

郑彤 .

中国专利 :CN120690756A ,2025-09-23

← 1 2 3 4 5 →