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具有低电感栅极交叉的功率半导体模块

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202080030477.8
申请日：
2020-04-02
公开(公告)号：
CN113728428A
公开(公告)日：
2021-11-30
发明(设计)人：
A·施罗德 S·基辛 F·莫恩 J·舒德勒
申请人：
申请人地址：
瑞士巴登
IPC主分类号：
H01L2348
IPC分类号：
H01L2507 H01L2518 H01L23373 H01L23498 H01L23538
代理机构：
北京市汉坤律师事务所 11602
代理人：
王其文;张涛
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2021-12-17 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/48 申请日:20200402
2021-11-30 公开 公开
共 50 条
[1]
具有低电感栅极交叉的功率半导体模块 [P]. 
A·施罗德 ;
S·基辛 ;
F·莫恩 ;
J·舒德勒 .
:CN113728428B ,2024-04-02
[2]
具有低栅极通路电感的功率半导体模块 [P]. 
D.科泰特 ;
F.特劳布 ;
J.舒德雷尔 ;
A.阿佩尔斯迈尔 ;
J.阿萨姆 .
中国专利 :CN110050339A ,2019-07-23
[3]
具有低栅极驱动电感柔性板连接的功率半导体模块 [P]. 
R·拜雷尔 .
中国专利 :CN105789157A ,2016-07-20
[4]
低电感功率半导体模块 [P]. 
R·拜尔勒 ;
T·施托克迈耶 .
中国专利 :CN1120737A ,1996-04-17
[5]
低杂散电感衬底及其功率半导体模块 [P]. 
杨贺雅 ;
罗浩泽 ;
梅烨 .
中国专利 :CN107546218A ,2018-01-05
[6]
具有低杂散电感的功率半导体模块端子 [P]. 
杨贺雅 ;
罗浩泽 ;
梅烨 .
中国专利 :CN107731771A ,2018-02-23
[7]
功率半导体模块及功率半导体模块组 [P]. 
朱楠 ;
徐贺 ;
史经奎 ;
邓永辉 ;
梅营 .
中国专利 :CN217544596U ,2022-10-04
[8]
功率半导体模块的制造方法及功率半导体模块 [P]. 
中村宏之 .
中国专利 :CN109712969A ,2019-05-03
[9]
功率半导体模块和驱动功率半导体模块的方法 [P]. 
R·拜尔勒 ;
T·斯托尔策 .
中国专利 :CN102054830B ,2011-05-11
[10]
一种低杂散电感衬底及其功率半导体模块 [P]. 
杨贺雅 ;
罗浩泽 ;
梅烨 .
中国专利 :CN207250508U ,2018-04-17
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