低杂散电感衬底及其功率半导体模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710696370.7

申请日：

2017-08-15

公开(公告)号：

CN107546218A

公开(公告)日：

2018-01-05

发明(设计)人：

杨贺雅罗浩泽梅烨

申请人：

申请人地址：

310012 浙江省杭州市西湖区文三路408号5号楼309-311室

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L23367

代理机构：

杭州求是专利事务所有限公司 33200

代理人：

林超

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-01-30	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 25/07 申请日:20170815
2018-01-05	公开	公开
2018-01-26	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 25/07 登记生效日:20180108 变更事项:申请人变更前权利人:杭州浙阳电气有限公司变更后权利人:臻驱科技（上海）有限公司变更事项:地址变更前权利人:310012 浙江省杭州市西湖区文三路408号5号楼309-311室变更后权利人:201207 上海市浦东新区自由贸易试验区芳春路400号1幢3层

共 50 条

[1]

一种低杂散电感衬底及其功率半导体模块 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN207250508U ,2018-04-17

[2]

门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN109411461A ,2019-03-01

[3]

门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN107342313A ,2017-11-10

[4]

门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN109411461B ,2024-09-13

[5]

具有低杂散电感的功率半导体模块端子 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN107731771A ,2018-02-23

[6]

一种低杂散电感功率半导体模块端子 [P].

陆熙 .

中国专利 :CN211980609U ,2020-11-20

[7]

功率半导体模块衬底 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN107958905A ,2018-04-24

[8]

功率半导体模块衬底 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN107958905B ,2024-06-21

[9]

一种门极杂散均衡衬底及其功率半导体模块 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN207868198U ,2018-09-14

[10]

一种具有低杂散电感的功率半导体模块端子 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN207338357U ,2018-05-08

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