具有低杂散电感的功率半导体模块端子

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201711050341.X
申请日
2017-10-31
公开(公告)号
CN107731771A
公开(公告)日
2018-02-23
发明(设计)人
杨贺雅 罗浩泽 梅烨
申请人
申请人地址
201207 上海市浦东新区自由贸易试验区芳春路400号1幢3层
IPC主分类号
H01L2348
IPC分类号
代理机构
杭州求是专利事务所有限公司 33200
代理人
林超
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
一种具有低杂散电感的功率半导体模块端子 [P]. 
杨贺雅 ;
罗浩泽 ;
梅烨 .
中国专利 :CN207338357U ,2018-05-08
[2]
一种低杂散电感功率半导体模块端子 [P]. 
陆熙 .
中国专利 :CN211980609U ,2020-11-20
[3]
低杂散电感衬底及其功率半导体模块 [P]. 
杨贺雅 ;
罗浩泽 ;
梅烨 .
中国专利 :CN107546218A ,2018-01-05
[4]
一种低杂散电感衬底及其功率半导体模块 [P]. 
杨贺雅 ;
罗浩泽 ;
梅烨 .
中国专利 :CN207250508U ,2018-04-17
[5]
具有低栅极通路电感的功率半导体模块 [P]. 
D.科泰特 ;
F.特劳布 ;
J.舒德雷尔 ;
A.阿佩尔斯迈尔 ;
J.阿萨姆 .
中国专利 :CN110050339A ,2019-07-23
[6]
低电感功率半导体模块 [P]. 
R·拜尔勒 ;
T·施托克迈耶 .
中国专利 :CN1120737A ,1996-04-17
[7]
具有低电感栅极交叉的功率半导体模块 [P]. 
A·施罗德 ;
S·基辛 ;
F·莫恩 ;
J·舒德勒 .
中国专利 :CN113728428A ,2021-11-30
[8]
具有低电感栅极交叉的功率半导体模块 [P]. 
A·施罗德 ;
S·基辛 ;
F·莫恩 ;
J·舒德勒 .
:CN113728428B ,2024-04-02
[9]
杂散电感低的功率模块 [P]. 
D.科特 ;
F.特劳布 .
中国专利 :CN107424986B ,2017-12-01
[10]
低杂散电感的功率模块 [P]. 
刘志宏 ;
朱翔 ;
李冯 ;
沈华 .
中国专利 :CN101582413B ,2009-11-18