低电感功率半导体模块

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN95107021.5

申请日：

1995-06-16

公开(公告)号：

CN1120737A

公开(公告)日：

1996-04-17

发明(设计)人：

R·拜尔勒 T·施托克迈耶

申请人：

申请人地址：

瑞士巴登

IPC主分类号：

H01L2507

IPC分类号：

H01L2336 H01L23492

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司

代理人：

萧掬昌

法律状态：

著录项目变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
1997-07-30	著录项目变更	著录项目变更变更事项:申请人变更前:ABB管理有限公司变更后:亚瑞亚·勃朗勃威力有限公司
1996-04-17	公开	公开
2000-12-20	专利权的视为放弃	专利权的视为放弃
1996-03-27	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

具有低栅极通路电感的功率半导体模块 [P].

D.科泰特 ;

F.特劳布 ;

J.舒德雷尔 ;

A.阿佩尔斯迈尔 ;

J.阿萨姆 .

中国专利 :CN110050339A ,2019-07-23

[2]

低杂散电感衬底及其功率半导体模块 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN107546218A ,2018-01-05

[3]

具有低电感栅极交叉的功率半导体模块 [P].

A·施罗德 ;

S·基辛 ;

F·莫恩 ;

J·舒德勒 .

中国专利 :CN113728428A ,2021-11-30

[4]

具有低电感栅极交叉的功率半导体模块 [P].

A·施罗德 ;

S·基辛 ;

F·莫恩 ;

J·舒德勒 .

:CN113728428B ,2024-04-02

[5]

具有低杂散电感的功率半导体模块端子 [P].

杨贺雅 ;

罗浩泽 ;

梅烨 .

中国专利 :CN107731771A ,2018-02-23

[6]

一种功率半导体模块低电感封装结构 [P].

张骜博 .

中国专利 :CN221977916U ,2024-11-08

[7]

功率半导体模块 [P].

崛元人 ;

高桥良和 ;

望月英司 ;

西村芳孝 ;

池田良成 .

中国专利 :CN105981168B ,2016-09-28

[8]

功率半导体模块 [P].

古田纪文 .

中国专利 :CN100517705C ,2008-04-23

[9]

功率半导体模块 [P].

高山 ;

崔硕文 ;

俞度在 ;

金泰贤 ;

张范植 ;

朴志贤 .

中国专利 :CN101901795A ,2010-12-01

[10]

一种低杂散电感功率半导体模块端子 [P].

陆熙 .

中国专利 :CN211980609U ,2020-11-20

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