超级结功率器件及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201210216629.0
申请日
2012-06-27
公开(公告)号
CN103515436B
公开(公告)日
2014-01-15
发明(设计)人
颜树范 张朝阳 李江华 朱辉
申请人
申请人地址
201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号
IPC主分类号
H01L2978
IPC分类号
H01L2915 H01L21336
代理机构
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
丁纪铁
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
超级结器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 ;
刘须电 ;
王飞 ;
祝志敏 .
中国专利 :CN118943163A ,2024-11-12
[2]
超级结功率器件及其制造方法 [P]. 
刘磊 ;
龚轶 ;
袁愿林 ;
刘伟 .
中国专利 :CN107134492A ,2017-09-05
[3]
超级结功率器件及其制备方法 [P]. 
钟圣荣 ;
郑芳 .
中国专利 :CN107799419A ,2018-03-13
[4]
超级结半导体功率器件及其制造方法 [P]. 
丁磊 .
中国专利 :CN121078771A ,2025-12-05
[5]
超级结器件及其制造方法 [P]. 
李昊 .
中国专利 :CN114023821A ,2022-02-08
[6]
超级结器件及其制造方法 [P]. 
肖胜安 .
中国专利 :CN103035721B ,2013-04-10
[7]
超级结器件及其制造方法 [P]. 
李昊 .
中国专利 :CN114023821B ,2024-01-19
[8]
超级结功率器件及其制备方法 [P]. 
祁金伟 .
中国专利 :CN117410314A ,2024-01-16
[9]
碳化硅超级结功率器件及其制造方法 [P]. 
刘强 ;
倪炜江 .
中国专利 :CN119866035A ,2025-04-22
[10]
超级结MOSFET器件及其制造方法 [P]. 
许昭昭 ;
刘冬华 ;
钱文生 ;
王飞 .
中国专利 :CN121126837A ,2025-12-12