碳化硅超级结功率器件及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510031955.1

申请日：

2025-01-09

公开(公告)号：

CN119866035A

公开(公告)日：

2025-04-22

发明(设计)人：

刘强倪炜江

申请人：

安徽芯塔电子科技有限公司

申请人地址：

241000 安徽省芜湖市弋江区芜湖高新技术产业开发区芜湖科技产业园B3栋

IPC主分类号：

H10D30/66

IPC分类号：

H10D62/10 H10D30/01

代理机构：

安徽华楚专利代理事务所(普通合伙) 34291

代理人：

周丽静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

安徽省芜湖市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 30/66申请日:20250109
2025-04-22	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅超级结原胞结构及其制造方法、功率器件 [P].

刘强 ;

倪炜江 .

中国专利 :CN119866043A ,2025-04-22

[2]

碳化硅功率器件的制备方法及其碳化硅功率器件 [P].

连建伟 ;

林志东 .

中国专利 :CN118800798A ,2024-10-18

[3]

碳化硅功率器件结终端结构及制造方法、碳化硅功率器件 [P].

贺冠中 .

中国专利 :CN111192821A ,2020-05-22

[4]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097B ,2024-10-11

[5]

碳化硅MOSFET功率器件及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

曹龙飞 ;

陈宇 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN117613097A ,2024-02-27

[6]

碳化硅功率器件及其制造方法 [P].

朱超群 ;

陈宇 .

中国专利 :CN107785417A ,2018-03-09

[7]

碳化硅功率器件及其制造方法 [P].

刘慧莹 ;

李枭 ;

谢志平 ;

王珏 .

中国专利 :CN117650051B ,2024-09-27

[8]

碳化硅功率器件及其制造方法 [P].

刘慧莹 ;

李枭 ;

谢志平 ;

王珏 .

中国专利 :CN117650051A ,2024-03-05

[9]

碳化硅功率器件终端结构及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

张腾 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118738095A ,2024-10-01

[10]

碳化硅功率器件终端结构及其制造方法 [P].

张跃 ;

柏松 ;

张腾 ;

黄润华 ;

杨勇 .

中国专利 :CN118738095B ,2025-03-04

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