一种Co掺杂CdSe量子点敏化TiO2纳米棒光电极及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210234979.X

申请日：

2012-07-09

公开(公告)号：

CN102760580B

公开(公告)日：

2012-10-31

发明(设计)人：

王浩汪宝元胡云霞王喜娜张军刘荣王甜丁浩许扬

申请人：

申请人地址：

430062 湖北省武汉市武昌区学院路11号

IPC主分类号：

H01G904

IPC分类号：

H01G9042 H01G920

代理机构：

武汉河山金堂专利事务所(普通合伙) 42212

代理人：

丁齐旭

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-12-26	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101370319866 IPC(主分类):H01G 9/04 专利申请号:201210234979X 申请日:20120709
2018-07-27	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01G 9/04 申请日:20120709 授权公告日:20150617 终止日期:20170709
2015-06-17	授权	授权
2012-10-31	公开	公开

共 50 条

[1]

一种ZnO/CdSe/CdTe纳米棒阵列光电极及其制备方法 [P].

王淑嫱 ;

王浩 ;

王甜 ;

王喜娜 ;

刘荣 ;

张军 ;

汪宝元 ;

胡芸霞 .

中国专利 :CN102437206B ,2012-05-02

[2]

Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法 [P].

李森林 ;

程佳瑞 ;

亢艮雷 ;

段传虎 .

中国专利 :CN111653432A ,2020-09-11

[3]

一种量子点与染料协同敏化TiO2纳米棒阵列的太阳能电池制备方法 [P].

王浩 ;

汪宝元 ;

胡云霞 ;

蒋琦 ;

王甜 ;

丁浩 ;

张军 ;

王喜娜 .

中国专利 :CN102623195A ,2012-08-01

[4]

一种In2S3为缓冲层的AgInS2量子点敏化TiO2光电极的制备方法 [P].

李耀刚 ;

王远强 ;

王宏志 ;

张青红 .

中国专利 :CN104377036A ,2015-02-25

[5]

一种多量子点敏化TiO2的光电活性材料制备方法 [P].

郭庆福 ;

李庆 ;

李羽商 ;

路燕 ;

郭海滨 .

中国专利 :CN113943578A ,2022-01-18

[6]

MIL-100(Fe)/TiO2复合光电极的制备方法及其应用 [P].

白红叶 ;

崔伟成 ;

范伟强 ;

白亚杰 ;

高杨 ;

孙东甜 ;

刘颖 .

中国专利 :CN109402661A ,2019-03-01

[7]

一种TiO2纳米棒阵列薄膜材料及其制备方法 [P].

李新勇 ;

朱阿姝 ;

肇启东 ;

石勇 .

中国专利 :CN103922395A ,2014-07-16

[8]

Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法 [P].

吴晓宏 ;

秦伟 ;

韩璐 .

中国专利 :CN101515506B ,2009-08-26

[9]

锡掺杂染料敏化TiO2纳晶薄膜光电极及其制备方法与应用 [P].

段彦栋 ;

傅年庆 ;

方艳艳 ;

周晓文 ;

林原 .

中国专利 :CN103280323A ,2013-09-04

[10]

TiO2/BiVO4纳米阵列光电极的制备方法 [P].

刘志锋 ;

闫璐 ;

李军伟 .

中国专利 :CN106887336A ,2017-06-23

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