Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010346640.3

申请日：

2020-04-27

公开(公告)号：

CN111653432A

公开(公告)日：

2020-09-11

发明(设计)人：

李森林程佳瑞亢艮雷段传虎

申请人：

申请人地址：

223800 江苏省宿迁市宿城经济开发区智能电网标准化厂房4号

IPC主分类号：

H01G920

IPC分类号：

代理机构：

北京劲创知识产权代理事务所(普通合伙) 11589

代理人：

张铁兰

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-20	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01G 9/20 申请公布日:20200911
2020-10-13	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01G 9/20 申请日:20200427
2020-09-11	公开	公开

共 50 条

[1]

Bi2S3量子点敏化TiO2薄膜电极的制备方法 [P].

吴晓宏 ;

秦伟 ;

韩璐 .

中国专利 :CN101515506B ,2009-08-26

[2]

一种Bi2S3量子点敏化TiO2的太阳能电池的制备方法 [P].

高义华 ;

楚亮 ;

张军 ;

向法午 ;

张翔晖 ;

苏俊 .

中国专利 :CN103594248A ,2014-02-19

[3]

MoS2敏化TiO2薄膜的制备方法、MoS2敏化TiO2薄膜及其应用 [P].

吕建国 ;

赵敏 ;

缪锐 ;

禹波 ;

王顺 ;

夏志远 ;

薛俊 .

中国专利 :CN108786858A ,2018-11-13

[4]

一种In2S3为缓冲层的AgInS2量子点敏化TiO2光电极的制备方法 [P].

李耀刚 ;

王远强 ;

王宏志 ;

张青红 .

中国专利 :CN104377036A ,2015-02-25

[5]

一种Co掺杂CdSe量子点敏化TiO2纳米棒光电极及其制备方法 [P].

王浩 ;

汪宝元 ;

胡云霞 ;

王喜娜 ;

张军 ;

刘荣 ;

王甜 ;

丁浩 ;

许扬 .

中国专利 :CN102760580B ,2012-10-31

[6]

Bi2S3/TiO2纳米棒复合膜光阳极的制备方法 [P].

杜荣归 ;

胡娟 ;

刘青 ;

梁燕 .

中国专利 :CN105386061A ,2016-03-09

[7]

g‑C3N4量子点敏化TiO2纳米管的制备方法 [P].

申乾宏 ;

王辉 ;

杨辉 ;

尤增宇 ;

秦天 .

中国专利 :CN106492867A ,2017-03-15

[8]

一种多量子点敏化TiO2的光电活性材料制备方法 [P].

郭庆福 ;

李庆 ;

李羽商 ;

路燕 ;

郭海滨 .

中国专利 :CN113943578A ,2022-01-18

[9]

一种Bi2S3/TiO2复合材料纳米棒阵列及制备方法 [P].

杨蕾 ;

王壮 ;

尹奇异 ;

鲁红典 ;

张全争 ;

张凌云 ;

秦广超 ;

田长安 .

中国专利 :CN108751738A ,2018-11-06

[10]

一种染料敏化乙炔黑‑TiO2复合多孔薄膜电极的制备方法 [P].

马洪芳 ;

王小蕊 ;

王志鹏 .

中国专利 :CN104036960B ,2014-09-10

← 1 2 3 4 5 →